Реєстраційний номер
0211U001068,
0106U000680
, Науково-дослідна робота
Назва роботи
"Фотоелектричні, люмінесцентні, емісійні та поверхневі властивості нанорозмірних напівпровідникових структур"
Назва етапу роботи
Керівник роботи
Литовченко Володимир Григорович,
Дата реєстрації
14-01-2011
Організація виконавець
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України
Опис етапу
Звіт про НДР: 229 с, 131 рис, 14 табл., 1 додатків, 270 джерел. Об'єкт дослідження - напівпровідникові нанорозмірні структури в діелектричному оточенні, структуровані поверхневі шари та приладні структури на їх основі. Мета роботи - отримання принципово нових наукових даних про властивості і параметри нанокластерних композитів (як вільних, так і оточених різними, в тому числі і діелектричними фазами), визначення характеристик поверхневих ефектів та центрів, їх особливостей по відношенню до об'ємних, а також спостереження нових ефектів, не притаманних для об'ємних і класично поверхневих процесів. Метод дослідження - використання методів: ІЧ-поглинання, фотолюмінесценції, фотонапруги та електричних методів. Комп'ютерний аналіз отриманих даних та співставлення їх з результатами попередніх вимірів. Поетапна структура досліджень: 1. Розробка технологічних методів формування нанорозмірних напівпровідникових структур. 2. Теорія формування кремнієвих нанокристалів. 3. Фотоелектричні, люмінесцентні, емісійні та поверхневі властивості нанорозмірних напівпровідникових структур. 4. Вплив іонізуючого опромінення на властивості плівок та наноструктур 5. Підготовка патентів, доповідей, наукових статей за результатами виконаних досліджень. Результати: - розроблені оригінальні технології формування нанорозмірних кремнієвих і CdTe кластерів та тонких шарів напівпровідників, розміщених як на вільній поверхні, так і вбудованих в діелектричні матриці різного типу. - детально дослідженні фотоелектричні, люмінесцентні, емісійні та поверхневі властивості нанорозмірних напівпровідникових структур та встановлені важливі закономірності процесів - запропонована модель та проведений теоретичний розрахунок формування кремнієвих нанокристалів. - досліджена холодна емісія з наноструктурованих кремнієвих катодів. - досліджені кремнієві структури для використання в якості фотоелектричних перетворювачів сонячної енергії та сформульовані критерії отримання гранично високих параметрів приладів та їх радіаційної стійкості - встановлено підвищення газочутливості МДН структур при використанні металевих нанокомпозитних каталізаторів, що дозволило сформувати макети датчиків з підвищеною газочутливістю. Прогнозні припущення щодо розвитку об'єктів дослідження - оптимізація технологій формування систем нанокластерів з заданими параметрами та малим розкидом по розмірам для використання в пристроях наноелектроніки. НАНОКРИСТАЛИ, КРЕМНІЙ, А2В6, ШАРУВАТІ СТРУКТУРИ, НАНОСТРУКТУРИ, ЛЮМІНЕСЦЕНЦІЯ, ЕЛЕКТРОННА ПОЛЬОВА ЕМІСІЯ, ФОТОПЕРЕТВОРЮВАЧІ, СЕНСОРИ ГАЗІВ.
Опис продукції
Отриманні принципово нові наукові дані про властивості і параметри нанокластерних композитів (як вільних, так і оточених різними, в тому числі і діелектричними фазами), визначені характеристик поверхневих ефектів та центрів, їх особливостей по відношенню до об'ємних, а також спостережені нові ефекти, не притаманні для об'ємних і класично поверхневих процесів. Розроблені оригінальні технології формування та детально дослідженні фотоелектричні, люмінесцентні, емісійні та поверхневі властивості нанорозмірних напівпровідникових структур.
Автори роботи
Євтух Анатолій Антонович
Індутний Іван Захарович
Клюй Микола Іванович
Корбутяк Дмитро Васильович
Костильов Віталій Петрович
Лісовський Ігор Петрович
Литовченко Володимир Григорович
Романюк Борис Миколайович
Саченко Анатолій Васильович
Додано/оновлено в НРАТ
2020-04-02
