Реєстраційний номер
0211U007011,
0110U001120
, Науково-дослідна робота
Назва роботи
Сенсорні пристрої на основі радіаційностійких напівпровідникових матеріалів для картографування магнітних полів медичних циклотронів
Назва етапу роботи
Керівник роботи
Большакова Інесса Антонівна, Доктор технічних наук
Дата реєстрації
16-03-2011
Організація виконавець
Національний університет "Львівська політехніка"
Опис етапу
Розроблена технологія прецизійного встановлення чутливих елементів в зонди та контролю паралельності робочої площини чутливого елементу до нижньої поверхні зондів, до якої входять методи забезпечення строгої паралельності площини зони монтажу чутливих елементів до нижньої поверхні зондів, високоякісного приклеювання чутливих елементів та контролю паралельності їх встановлення. В інтервалі температур (77 - 550) К проведені дослідження електрофізичних параметрів мікрокристалічних та тонкоплівкових сенсорів на основі InSb і InAs, визначені їх температурні коефіцієнти. На основі проведених досліджень електрофізичних властивостей визначено оптимальні вихідні параметри мікрокристалічних та тонкоплівкових зразків InSb і InAs для використання їх в якості чутливих елементів магнітовимірювальних зондів. Проведені дослідження впливу дії опромінення нейтронами на мікрокристалічні та тонкоплівкові чутливі елементи магнітовимірювальних зондів методом порівняння результатів вимірювання параметрів до та після опромінення (off-line методом). Проведені дослідження впливу спектру нейтронного потоку на зміну параметрів чутливих елементів InSb та InAs. Визначено, що співвідношення потоків швидких та теплових нейтронів в спектрі реакторних нейтронів суттєво впливає на величину та характер зміни чутливості зразків InSb, в той же час вплив цього фактора на зміну чутливості зразків InAs практично не спостерігається. Визначено, що для складних гетероструктур InAs/i-GaAs з In-вмісними буферними шарами під дією нейтронного та електронного опромінення відбувається зміна параметрів не лише активного шару, а також проміжних метабуферних шарів. Дослідження показали, що використання таких напівпровідникових багатошарових гетероструктур при радіаційному навантаженні значно ускладнює прогнозування зміни їх параметрів під дією опромінення і не є ефективним для сенсорів магнітного поля.
Опис продукції
Нові підходи у побудові високопрецизійних сенсорних пристроїв картографування магнітного поля циклотронів медичного призначення, базою яких є просторова матриця магнітовимірювальних зондів на основі високостабільних радіаційностійких напівпровідникових холлівських сенсорів.
Автори роботи
Єгоров А.Г.
Єрашок В.Е.
Большакова І.А.
Ворошило Г.І.
Гумен С.С.
Загачевський Ю.В.
Ковальова Н.В.
Когут І.В.
Козаченко Л.М.
Кость Я.Я.
Левченко А.О.
Макідо О.Ю.
Марусенков А.В.
Мороз А.П.
Палиняк І.В.
Тер-Арутюнян Ю.С.
Шуригін Ф.М.
Додано/оновлено в НРАТ
2020-04-02
