Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0212U002453, 0111U005878 , Науково-дослідна робота Назва роботи Розроблення технологій виробництва гетероепітаксіальних квантоворозмірних світлодіодних структур на основі InGaN/GaN/Al2O3 методом газофазної епітаксії з металоорганічних сполук з енергетичною ефективністю більш як 60 Лм/Вт. Назва етапу роботи Керівник роботи Круковський Семен Іванович, Дата реєстрації 29-02-2012 Організація виконавець Публічне акціонерне товариство "Науково-виробничий концерн "Наука" Опис етапу Досліджено вплив тиску в реакторі на формування активних областей світлодіодних структур AlхGaN1-х/InхGa1-хN/GaN/Al203. Визначено, що для досліджуваного типу структури оптимальний робочий тиск знаходиться в діапазоні 200-300 мбар. Одержані структури, при таких газодинамічних умовах, досягають максимальної квантової ефективності 8.7 %. Вирощені та досліджені світлодіодні структури AlхGaN1-х/InхGa1-хN/GaN/Al203, в яких надтонкі активні шари InGaN були обмежені варізонною короткоперіодною InGaN/GaN-надграткою, що дозволяє істотно збільшити квантову ефективність випромінювання. Проведені дослідження кристалічної досконалості та складу гетероструктур AlхGaN1-х/InхGa1-хN/GaN/Al203 методом високороздільної рентгенівської дифрактометрії. Виконані дослідження вольт-фарадних та вольт-амперних характеристик світлодіодних структур при коректуванні технологічного процесу, що дало можливість виявити взаємозв'язок між структурно-технологічними особливостями та основними параметрами і характеристиками світлодіодів. На основі проведених електролюмінісцентних досліджень світлодіодів були відкоректовані технологічні процеси по коректуванню основних технологічних режимів кристалізації світлодіодних структур AlхGaN1-х/InхGa1-хN/GaN/Al203. Опис продукції Відкоректована та апробована технологія виготовлення світлодіодних структур AlхGaN1-х/InхGa1-хN/GaN/Al203, в частині модернізації дизайну активної області шляхом обмеження активних шарів InGaN варізонною короткоперіодною InGaN/GaN-надграткою, що дозволило істотно збільшити квантову ефективність випромінювання. Автори роботи Кость Я.Я. Круковський Р.С. Круковський С.І. Михащук Ю.С. Мрихін І.О. Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити