Реєстраційний номер
0212U002453,
0111U005878
, Науково-дослідна робота
Назва роботи
Розроблення технологій виробництва гетероепітаксіальних квантоворозмірних світлодіодних структур на основі InGaN/GaN/Al2O3 методом газофазної епітаксії з металоорганічних сполук з енергетичною ефективністю більш як 60 Лм/Вт.
Назва етапу роботи
Керівник роботи
Круковський Семен Іванович,
Дата реєстрації
29-02-2012
Організація виконавець
Публічне акціонерне товариство "Науково-виробничий концерн "Наука"
Опис етапу
Досліджено вплив тиску в реакторі на формування активних областей світлодіодних структур AlхGaN1-х/InхGa1-хN/GaN/Al203. Визначено, що для досліджуваного типу структури оптимальний робочий тиск знаходиться в діапазоні 200-300 мбар. Одержані структури, при таких газодинамічних умовах, досягають максимальної квантової ефективності 8.7 %. Вирощені та досліджені світлодіодні структури AlхGaN1-х/InхGa1-хN/GaN/Al203, в яких надтонкі активні шари InGaN були обмежені варізонною короткоперіодною InGaN/GaN-надграткою, що дозволяє істотно збільшити квантову ефективність випромінювання. Проведені дослідження кристалічної досконалості та складу гетероструктур AlхGaN1-х/InхGa1-хN/GaN/Al203 методом високороздільної рентгенівської дифрактометрії. Виконані дослідження вольт-фарадних та вольт-амперних характеристик світлодіодних структур при коректуванні технологічного процесу, що дало можливість виявити взаємозв'язок між структурно-технологічними особливостями та основними параметрами і характеристиками світлодіодів. На основі проведених електролюмінісцентних досліджень світлодіодів були відкоректовані технологічні процеси по коректуванню основних технологічних режимів кристалізації світлодіодних структур AlхGaN1-х/InхGa1-хN/GaN/Al203.
Опис продукції
Відкоректована та апробована технологія виготовлення світлодіодних структур AlхGaN1-х/InхGa1-хN/GaN/Al203, в частині модернізації дизайну активної області шляхом обмеження активних шарів InGaN варізонною короткоперіодною InGaN/GaN-надграткою, що дозволило істотно збільшити квантову ефективність випромінювання.
Автори роботи
Кость Я.Я.
Круковський Р.С.
Круковський С.І.
Михащук Ю.С.
Мрихін І.О.
Додано/оновлено в НРАТ
2020-04-02
