Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0212U006423, 0109U000943 , Науково-дослідна робота Назва роботи Дослідження радіаційних ефектів в напівпровідникових інжекційних структурах з p-n, p-i-n- і гетеропереходами Назва етапу роботи Керівник роботи Кумашев Шаміль Джамашевич, Дата реєстрації 28-03-2012 Організація виконавець Одеський національний університет ім. І. І. Мечникова. Наукова частина Опис етапу Експериментально та теоретично обгрунтувано фізичні механізми впливу радіаційного опромінення на структуру областей обє'много заряду, відповідних за формування фізичних та функціональних параметрів фото- та магніточутливих приладів мікро- та наноелектроніки з інжекцією нерівноважних носіїв заряду в об'єм напівпровідника. Розроблено концепцію інжекційно-плазмового підсилення в компенсованих напівпровідниках в умовах радіаційного опромінювання. Обгрунтувано методи підвищення радіаційної стійкості первинних перетворювачів на базі інжекційних структур. Опис продукції Експериментально та теоретично обгрунтовано фізичні механізми впливу радіаційного опромінення на структуру областей, відповідних за формування фізичних та функціональних параметрів фото- та магніточутливих приладів мікро- та ноноелектроніки з інжекцією неврівноважених носіїв заряду в об'єм напівпровідника Автори роботи Канищева Н.О. Куталова Н.О. Миронченко Т.І. Садова Н.М. Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити