Реєстраційний номер
0212U008482,
0112U006104
, Науково-дослідна робота
Назва роботи
Створення фото- та газочутливих нанокомпозитів на основі напівпровідникових оксидів, що сенсибілізовані квантовими точками А2В6
Назва етапу роботи
Керівник роботи
Сизов Федір Федорович, Доктор фізико-математичних наук
Дата реєстрації
17-12-2012
Організація виконавець
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України
Опис етапу
Розроблено методи епітаксійного росту тонких плівок A2B6 (CdTe, CdZnTe) і A4B6 (PbTe) з метою відтворюваного отримання плівок високої структурної досконалості з мінімальною концентрацією власних і домішкових точкових дефектів. Рекомендовано найбільш інформативні методики для експериментального дослідження нанокомпозитів на основі напівпровідників типу ІІ-VI та IV-VI: методики контактної АСМ, методики напівконтактної АСМ, методи СТМ з використанням високовакуумного нанотехнологічного комплексу "НаноФАБ-100" .
Опис продукції
Розроблено методи епітаксійного росту тонких плівок A2B6 (CdTe, CdZnTe) і A4B6 (PbTe) з метою відтворюваного отримання плівок високої структурної досконалості з мінімальною концентрацією власних і домішкових точкових дефектів. Розроблено метод вирощування тонких плівок A2B6 (CdTe, CdZnTe) і A4B6 (PbTe), при якому утворюються нанокристалічні блоки з розмірами структур по висоті порядку декількох нанометрів.Використано метод фізичного транспорту через газову фазу для вирощування дрібних гексагональних наностержнів CdTe з діаметром (10-30 нм) , а також великих наностержнів з діаметром ~ (100-200) нм.
Автори роботи
Андрєєва Катерина Вікторівна
Бабенцов Володимир Миколайович
Вуйчик Микола Вячеславович
Голенков Олександр Генадійович
Лученко Анжеліка Ілларіонівна
Мележик Євген Олександрович
Рашковецький Любомир Васильович
Свеженцова Катерина Віталіївна
Цибрій Зіновія Федорівна
Додано/оновлено в НРАТ
2020-04-02
