Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0212U008482, 0112U006104 , Науково-дослідна робота Назва роботи Створення фото- та газочутливих нанокомпозитів на основі напівпровідникових оксидів, що сенсибілізовані квантовими точками А2В6 Назва етапу роботи Керівник роботи Сизов Федір Федорович, Доктор фізико-математичних наук Дата реєстрації 17-12-2012 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України Опис етапу Розроблено методи епітаксійного росту тонких плівок A2B6 (CdTe, CdZnTe) і A4B6 (PbTe) з метою відтворюваного отримання плівок високої структурної досконалості з мінімальною концентрацією власних і домішкових точкових дефектів. Рекомендовано найбільш інформативні методики для експериментального дослідження нанокомпозитів на основі напівпровідників типу ІІ-VI та IV-VI: методики контактної АСМ, методики напівконтактної АСМ, методи СТМ з використанням високовакуумного нанотехнологічного комплексу "НаноФАБ-100" . Опис продукції Розроблено методи епітаксійного росту тонких плівок A2B6 (CdTe, CdZnTe) і A4B6 (PbTe) з метою відтворюваного отримання плівок високої структурної досконалості з мінімальною концентрацією власних і домішкових точкових дефектів. Розроблено метод вирощування тонких плівок A2B6 (CdTe, CdZnTe) і A4B6 (PbTe), при якому утворюються нанокристалічні блоки з розмірами структур по висоті порядку декількох нанометрів.Використано метод фізичного транспорту через газову фазу для вирощування дрібних гексагональних наностержнів CdTe з діаметром (10-30 нм) , а також великих наностержнів з діаметром ~ (100-200) нм. Автори роботи Андрєєва Катерина Вікторівна Бабенцов Володимир Миколайович Вуйчик Микола Вячеславович Голенков Олександр Генадійович Лученко Анжеліка Ілларіонівна Мележик Євген Олександрович Рашковецький Любомир Васильович Свеженцова Катерина Віталіївна Цибрій Зіновія Федорівна Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити