Реєстраційний номер
0212U008601,
0112U004345
, Науково-дослідна робота
Назва роботи
Дослідження фотоелектричних процесів, оптимізація структури і параметрів тонкоплівкових сонячних елементів на основі CdTe з метою підвищення ефективності перетворення енергії сонячного випромінювання в електричну
Назва етапу роботи
Керівник роботи
Косяченко Леонід Андрійович,
Дата реєстрації
09-01-2013
Організація виконавець
Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича
Опис етапу
Досліджено оптичні та електричні характеристики шарів CdS і ZnxCd1-xS на предмет їх використання як "вікна" в сонячному елементі на основі CdTe. Показано, що при заміні CdS твердим розчином ZnxCd1-xS в сонячному елементі CdS/CdTe густина струму короткого замикання при x = 0.65-0.85 збільшується на 8-17%. Доведено, що електропровідність шарів CdS і ZnxCd1-xS визначається глибокою сильно компенсованою донорною домішкою. Досліджено втрати, зумовлені рекомбінацією на поверхнях CdTe і в області просторового заряду (ОПЗ) гетероструктури CdS(ZnCdS)/CdTe. Доведено, що залежність струму короткого замикання від ширини ОПЗ W описується кривою з максимумом при W = 0.4-0.8 мкм. Якщо W < 0.3-0.4 мкм, зменшення струму короткого замикання через рекомбінацію фотогенерованих в ОПЗ носіїв є меншим за 0.4%, але при W > 0.3-0.4 мкм рекомбінаційні втрати в ОПЗ перевищують 10-20%. Якщо товщина шару CdTe менша за 5 мкм, посилюються втрати, обумовлені процесами за межами ОПЗ і рекомбінацією на його тильній поверхні. Потоншення шару CdTe до d = 1 мкм зменшує струм короткого замикання на 5%, а при d = 0.5 мкм зменшення струму короткого замикання значно перевищує ~ 10%. Отримані результати з'ясовують шляхи підвищення ефективності досліджуваних сонячних елементів
Опис продукції
При заміні CdS твердим розчином ZnxCd1-xS в сонячному елементі CdS/CdTe густина струму короткого замикання при x = 0.65-0.85 збільшується на 8-17%. Залежність струму короткого замикання від ширини ОПЗ W описується кривою з максимумом при W = 0.4-0.8 мкм. Якщо W < 0.3-0.4 мкм, зменшення струму короткого замикання через рекомбінацію фотогенерованих в ОПЗ носіїв є меншим за 0.4%, але при W > 0.3-0.4 мкм рекомбінаційні втрати в ОПЗ перевищують 10-20%. Якщо товщина шару CdTe менша за 5 мкм, посилюються втрати, обумовлені процесами за межами ОПЗ і рекомбінацією на його тильній поверхні. Потоншення шару CdTe до d = 1 мкм зменшує струм короткого замикання на 5%, а при d = 0.5 мкм зменшення струму короткого замикання значно перевищує ~ 10%.
Автори роботи
Грушко Євгеній Валентинович
Косяченко Леонід Андрійович
Маслянчук Олена Леонідівна
Склярчук Валерій Михайлович
Склярчук Олена Федорівна
Додано/оновлено в НРАТ
2020-04-02
