Реєстраційний номер
0213U000062,
0112U006484
, Науково-дослідна робота
Назва роботи
Розроблення промислової технології виготовлення тандемних гетероструктур для фотовольтаїки методом газофазної епітаксії з металоорганічних з'єднань та впровадження їх у виробництво (друга черга)
Назва етапу роботи
Керівник роботи
Круковський Семен Іванович,
Дата реєстрації
15-01-2013
Організація виконавець
Публічне акціонерне товариство "Науково-виробничий концерн "Наука" в особі Львівської філії Публічного акціонерного товариства "Науково-виробничий концерн "Наука"
Опис етапу
Оптимізовано дифузійні процеси формування нижнього p-n переходу на основі германію. Отримані германієві фотоелементи із зовнішнім квантовим виходом 80-90% в діапазоні довжин хвиль 800-1600 нм і внутрішнім квантовим виходом близьким до 100%. Відпрацьовано технологічні режими формування нуклеаційного шару на основі GaAs. Відкореговано технологічні режими нарощування широкозонного вікна n-AlInP. Оптимізовано товщини та концентрації основних носіїв в епітаксійних шарах та твердого розчину AlxGa1-xAs. Розроблена та відкорегована технологія виготовлення тандемної гетероструктури Ge/GaAs/InGaP з високою структурною досконалістю. Виготовлені високоякісні трьохкаскадні тандемні гетероструктури Ge/GaAs/InGaP. Проведені дослідження основних параметрів (товщина, концентрація, склад твердого розчину) трьохкаскадних гетероструктур Ge/GaAs/InGaP. Створена інфраструктура технологічної дільниці виготовлення тандемних гетероструктур для фотовольтаїки методом газофазної епітаксії з металоорганічних з'єднань на базі промислової установки МОС-гідридної епітаксії Discovery - 180LDM.
Опис продукції
Розроблено та адаптовано промислову технологію виготовлення тандемних гетероструктур Ge/GaAs/InGaP методом газофазної епітаксії з металоорганічних з'єднань для фотоелектричних перетворювачів здатних працювати при 500 кратній концентрації сонячної енергії. Створена промислова технологічна дільниця виготовлення тандемних гетероструктур для фотовольтаїки методом МОС-гідридної епітаксії на базі установки Discovery - 180LDM.
Автори роботи
Васильев Л.А.
Горин А.В.
Горин С.В.
Горина В.П.
Коваленко В.М.
Круковська Н.Й.
Круковський Р.С.
Ларкіна Н.В.
Луговський В.В.
Ляхова Н.М.
Додано/оновлено в НРАТ
2020-04-02
