Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 0213U000062, 0112U006484 , Науково-дослідна робота Назва роботи Розроблення промислової технології виготовлення тандемних гетероструктур для фотовольтаїки методом газофазної епітаксії з металоорганічних з'єднань та впровадження їх у виробництво (друга черга) Назва етапу роботи Керівник роботи Круковський Семен Іванович, Дата реєстрації 15-01-2013 Організація виконавець Публічне акціонерне товариство "Науково-виробничий концерн "Наука" в особі Львівської філії Публічного акціонерного товариства "Науково-виробничий концерн "Наука" Опис етапу Оптимізовано дифузійні процеси формування нижнього p-n переходу на основі германію. Отримані германієві фотоелементи із зовнішнім квантовим виходом 80-90% в діапазоні довжин хвиль 800-1600 нм і внутрішнім квантовим виходом близьким до 100%. Відпрацьовано технологічні режими формування нуклеаційного шару на основі GaAs. Відкореговано технологічні режими нарощування широкозонного вікна n-AlInP. Оптимізовано товщини та концентрації основних носіїв в епітаксійних шарах та твердого розчину AlxGa1-xAs. Розроблена та відкорегована технологія виготовлення тандемної гетероструктури Ge/GaAs/InGaP з високою структурною досконалістю. Виготовлені високоякісні трьохкаскадні тандемні гетероструктури Ge/GaAs/InGaP. Проведені дослідження основних параметрів (товщина, концентрація, склад твердого розчину) трьохкаскадних гетероструктур Ge/GaAs/InGaP. Створена інфраструктура технологічної дільниці виготовлення тандемних гетероструктур для фотовольтаїки методом газофазної епітаксії з металоорганічних з'єднань на базі промислової установки МОС-гідридної епітаксії Discovery - 180LDM. Опис продукції Розроблено та адаптовано промислову технологію виготовлення тандемних гетероструктур Ge/GaAs/InGaP методом газофазної епітаксії з металоорганічних з'єднань для фотоелектричних перетворювачів здатних працювати при 500 кратній концентрації сонячної енергії. Створена промислова технологічна дільниця виготовлення тандемних гетероструктур для фотовольтаїки методом МОС-гідридної епітаксії на базі установки Discovery - 180LDM. Автори роботи Васильев Л.А. Горин А.В. Горин С.В. Горина В.П. Коваленко В.М. Круковська Н.Й. Круковський Р.С. Ларкіна Н.В. Луговський В.В. Ляхова Н.М. Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити
НДДКР ОК
Розроблення промислової технології виготовлення тандемних гетероструктур для фотовольтаїки методом газофазної епітаксії з металоорганічних з'єднань та впровадження їх у виробництво (друга черга)
Керівник: Круковський Семен Іванович. Розроблення промислової технології виготовлення тандемних гетероструктур для фотовольтаїки методом газофазної епітаксії з металоорганічних з'єднань та впровадження їх у виробництво (друга черга). (Етап: ). Публічне акціонерне товариство "Науково-виробничий концерн "Наука" в особі Львівської філії Публічного акціонерного товариства "Науково-виробничий концерн "Наука". № 0213U000062
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2026-03-17


Роздрукувати цю сторінку