Реєстраційний номер
0213U001705,
0111U007115
, Науково-дослідна робота
Назва роботи
Дослідження електронних, змішаних плазмон-фононних збуджень та структурних особливостей в нітридних наноструктурах при нерівноважних умовах
Назва етапу роботи
Керівник роботи
Наумов А.В.,
Дата реєстрації
24-01-2013
Організація виконавець
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України
Опис етапу
Об'єкт дослідження: нітридні нанорозмірні гетероструктури на основі GaN/AlN. Мета роботи: дослідження фізичних механізмів електронного транспорту в нітридних нанорозмірних гетероструктурах та встановлення взаємозв'язку особливостей кристалічної структури з електронними властивостями в таких наноструктурах. В роботі представлено результати досліджень методами скануючої конфокальної спектроскопії комбінаційного розсіяння світла, високороздільної Х-променевої дифрактометрії та електрофізичної характеризації нанорозмірних гетероструктур на основі GaN/AlN, вирощених на різних підкладках (Al2O3, Si, GaAs) та з різною конфігурацією шарів. Вперше досліджено основні закономірності розподілу деформацій, структурної досконалості і концентрації (рухливості) вільних носіїв заряду вздовж напрямку росту GaN діодних структур із субмікронною роздільною здатністю. Досліджено вплив зміни товщини підкладки на розподіл деформацій, величину мозаїчних блоків та густину дислокацій в шарах GaN вирощених методом PAMBE. Проведено порівняльне дослідження характеристик двобар'єрних резонансно-тунельних діодних структур на основі AlN/GaN гетероструктур. Для таких структур було проведено теоретичне моделювання потенційного профілю зони провідності та густин заряду, параметричні розрахунки вольт-амперних характеристик, а також порівняння з експериментально отриманими характеристиками.
Опис продукції
Розроблено експериментальний метод скануючої мікро-КРС спектроскопії для аналізу фононних і фононно-плазмових спектрів, отриманих при скануванні по глибині GaN діодної структури з кроком 0,1 мкм. Вивчено і проаналізовано субмікронний розподіл по глибині діодної структури параметрів неполярної фононної смуги в залежності від товщини прольотної частини n0-GaN; отримано взаємозв'язок між неоднорідностями кристалу та електронними властивостями GaN діодів. Вперше експериментально із субмікронною просторовою роздільною здатністю по глибині гетероструктури зареєстровано непружне розсіювання на неекранованих поздовжніх оптичних фононах у всьому об'ємі матеріалу. Визначено вплив зміни товщини підкладки на розподіл деформацій, величину мозаїчних блоків та густину дислокацій в шарах GaN. Виявлено, що оптимальна товщина буферного шару AlN становить 100 нм для росту шару GaN на Si. Отримано параметри електронної структури резонансно-тунельних діодних структур на основі AlN/GaN гетероструктур.
Автори роботи
Авраменко К.А.
Коломис О.Ф.
Сафрюк Н.В.
Додано/оновлено в НРАТ
2020-04-02
