Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0213U002799, 0112U001212 , Науково-дослідна робота Назва роботи Технологія радіаційної модифікації напівпровідникових матеріалів АІІІВV для сенсорної електроніки Назва етапу роботи Керівник роботи Большакова Інесса Антонівна, Доктор технічних наук Дата реєстрації 07-02-2013 Організація виконавець Національний університет "Львівська політехніка" Опис етапу Проведений огляд літературних даних та аналіз існуючих методів модифікації напівпровідникових матеріалів показав, що використання радіаційних методів дозволяє одержувати напівпровідникові матеріали та готові напівпровідникові прилади з характеристиками, необхідними для вирішення задач сучасної напівпровідникової електроніки. Визначені фізичні основи прогнозування властивостей опромінених напівпровідникових матеріалів показали можливість практичної реалізації технології зміни параметрів індій-вмісних напівпровідникових матеріалів шляхом внесення контрольованих радіаційних дефектів з подальшим їх відпалом. Проведено розробку та виготовлення оснастки та апаратури для проведення in-situ вимірювань параметрів матеріалів та сенсорів під час їх опромінення та розроблено нову версію програмного забезпечення для вимірювальної системи. Використання даної апаратури дозволить забезпечити високу точність контролю параметрів радіаційно модифікованих матеріалів, а також контроль та регулювання температури досліджуваних сенсорів під час опромінення. Опис продукції Нова апаратура дозволяє проводити вимірювання параметрів напівпровідникових матеріалів та сенсорів безпосередньо під час їх опромінення високоенергетичними частинками, а також здійснює регулювання та контроль температури сенсорів під час опромінення Автори роботи Большакова І.А. Гумен С.С. Загачевський Ю.В. Ковальова Н.В. Когут І.В. Козаченко Л.М. Кость Я.Я. Левченко А.О. Макідо О.Ю. Мороз А.П. Палиняк І.В. Сушко І.Р. Шуригін Ф.М. Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити