Реєстраційний номер
0213U004498,
0113U003227
, Науково-дослідна робота
Назва роботи
Розробка технології осадження плівок нанокристалічного карбіду кремнію для виробництва високостабільних сенсорів температури на їх основі
Назва етапу роботи
Керівник роботи
Лопін Олександр Володимирович,
Дата реєстрації
23-12-2013
Організація виконавець
Інститут монокристалів НАН України
Опис етапу
Оптимізовано умови формування плівок нанокристалічного SiC методом прямого іонного осадження при різних температурах підкладок з матеріалів SiC, Al2O3 та SiO2 в діапазоні 910-1210гр.С.Виготовлено чіпи сенсорів температури (терморезисторів) ТЛМ структур на основі термочутливих наноструктурованих шарів високоомного карбіду кремнію товщиною 1,5 мкм, вирощених на сапфіровій підкладинці. досліджено термометричні характеристики чіпів сенсорів температури в інтервалі -196+500гр.С.
Опис продукції
Оптимізовано умови формування плівок нанокристалічного SiC методом прямого іонного осадження при різних температурах підкладок з матеріалів SiC, Al2O3 та SiO2 в діапазоні 910-1210 гр.С. Виготовлено чіпи сенсорів температури (терморезисторів) ТЛМ структур на основі термочутливих наноструктурованих шарів високоомного карбіду кремнію товщиною 1,5мкм, вирощених на сапфіровій підкладинці. Досліджено термометричні характеристики чипів сенсорівтемператури в інтервалі t -196+500гр.С.
Автори роботи
Козловський Анатолій Антонович
Семенов Олександр Володимирович
Додано/оновлено в НРАТ
2020-04-02
