Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0213U004498, 0113U003227 , Науково-дослідна робота Назва роботи Розробка технології осадження плівок нанокристалічного карбіду кремнію для виробництва високостабільних сенсорів температури на їх основі Назва етапу роботи Керівник роботи Лопін Олександр Володимирович, Дата реєстрації 23-12-2013 Організація виконавець Інститут монокристалів НАН України Опис етапу Оптимізовано умови формування плівок нанокристалічного SiC методом прямого іонного осадження при різних температурах підкладок з матеріалів SiC, Al2O3 та SiO2 в діапазоні 910-1210гр.С.Виготовлено чіпи сенсорів температури (терморезисторів) ТЛМ структур на основі термочутливих наноструктурованих шарів високоомного карбіду кремнію товщиною 1,5 мкм, вирощених на сапфіровій підкладинці. досліджено термометричні характеристики чіпів сенсорів температури в інтервалі -196+500гр.С. Опис продукції Оптимізовано умови формування плівок нанокристалічного SiC методом прямого іонного осадження при різних температурах підкладок з матеріалів SiC, Al2O3 та SiO2 в діапазоні 910-1210 гр.С. Виготовлено чіпи сенсорів температури (терморезисторів) ТЛМ структур на основі термочутливих наноструктурованих шарів високоомного карбіду кремнію товщиною 1,5мкм, вирощених на сапфіровій підкладинці. Досліджено термометричні характеристики чипів сенсорівтемператури в інтервалі t -196+500гр.С. Автори роботи Козловський Анатолій Антонович Семенов Олександр Володимирович Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити