Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0213U004608, 0113U002132 , Науково-дослідна робота Назва роботи "Розроблення методів інтерференційної нанолітографії для формування рельєфно-фазових наноструктур з використанням вакуумних фоторезистів" 4 етап "Розробка та дослідження рідинної імерсійної фотолітографії на основі халькогенідних фоторезистів". Назва етапу роботи Керівник роботи Індутний Іван Захарович, Доктор фізико-математичних наук Дата реєстрації 18-12-2013 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України Опис етапу Спроектовано та виготовлено оснастку та зібрано оптичну схему для реалізації методу рідинної імерсійної інтерференційної фотолітографії на основі халькогенідних фоторезистів. Проведено оптимізацію технологічних процесів нанесення халькогенідних фоторезистів (в тому числі на основі сполук германію), а також умов їх експонування і селективного травлення. На основі оптимізованих техпроцесів виготовлені експериментальні зразки високочастотних (до 6000 мм-1) рельєфно-фазових структур та досліджені їх характеристики. Розроблено літографічний процес на шарах халькогенідів, відпалених при температурі близькій до температури розм'якшення халькогенідного скла відповідного складу, шляхом послідовного експонування та позитивного селективного травлення таких шарів. Розроблена технологія дозволяє формувати періодичні структури на поверхні як напівпровідникових, так і діелектричних пластин а також в функціональних шарах (в тому числі металевих) нанесених попередньо на підкладку. Отримані одновимірні та двовимірні періодичні субмікронні структури використовуються в сенсорах на основі плазмонного резонансу, фотоприймачах з підвищеною ефективністю, сонячних елементах, поляризаторах, в якості фотонних кристалів, МЕМС-структур, темплат для вирощування 3D-структур, нанодротів та ін. Опис продукції Розроблено літографічний процес на шарах халькогенідів шляхом послідовного експонування та позитивного селективного травлення таких шарів. Розроблена технологія дозволяє формувати періодичні структури на поверхні як напівпровідникових, так і діелектричних пластин а також в функціональних шарах. Отримані субмікронні структури використовуються в сенсорах на основі плазмонного резонансу, фотоприймачах з підвищеною ефективністю, сонячних елементах, в якості фотонних кристалів, МЕМС-структур, темплат та ін. Автори роботи Данько Віктор Андрійович Жовмір Сергій Сергійович Луканюк Марія Василівна Минько Віктор Іванович Михайловська Катерина Василівна Сопінський Микола Вікторович Шепелявий Петро Євгенович Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити