Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0213U008052, 0113U001186 , Науково-дослідна робота Назва роботи "Розробка наукових засад сучасних методів дослідження і діагностики мезоскопічних систем та створення пристроїв на основі багатокомпонентних металдіелектричних шарів" Назва етапу роботи Керівник роботи Влайков Георгій Георгійович, Дата реєстрації 04-12-2013 Організація виконавець Технічний центр Національної академії наук України Опис етапу Досліджено динамічну поведінку доменної стінки зі складною внутрішньою структурою циліндричного магнітного домену, утвореного в одновісній магнітній плівці. Показана можливість генерації вертикальних блохівських ліній зовнішнім магнітним полем.Визначені умови реалізації даного процесу. Встановлено, що наявність в доменній стінці блохівської точки протидіє утворенню блохівських ліній.Досліджені плівки на основі Poly(N-vinylcarbazole) (PVСа), виготовлені осадженням з газової фази, доповані акцепторними органічними та неорганічними напівпровідниковими сполуками та золотом. Газофазна технологія допувння PVCa акцепторними сполуками, зокрема С60, TNF (тринітрофлуоренон), CdSe, призводить до формування ефективних фотопровідників.Розвинуто уявлення щодо підвищення корозійно-механічної тривкості досліджуваних конструкційних матеріалів при оплавленні їх поверхні азотною плазмою за різними режимами. Встановлено оптимальний режим іонної імплантації азотом, що забезпечує утворення на поверхні досліджуваних матеріалів захисних бар'єрних шарів. Здійснена оцінка механізмів формування нітридних фаз під час іонної імплантації азотом. Опис продукції Доказана динамічну поведінку доменної стінки зі складною внутрішньою структурою циліндричного магнітного домену, утвореного в одновісній магнітній плівці. Показана можливість генерації вертикальних блохівських ліній зовнішнім магнітним полем. Визначені умови реалізації даного процесу. Встановлено, що наявність в доменній стінці блохівської точки протидіє утворенню блохівських ліній.Досліджені плівки на основі Poly(N-vinylcarbazole) (PVСа), виготовлені осадженням з газової фази, доповані акцепторними органічними та неорганічними напівпровідниковими сполуками та золотом. Газофазна технологія допувння PVCa акцепторними сполуками, зокрема С60, TNF (тринітрофлуоренон), CdSe, призводить до формування ефективних фотопровідників. Комбінування PVCa в тонкоплівкові гетероструктури з акцепторами, неорганічними напівпровідниками та металами робить ці матеріали привабливими багатофункціональними системами для оптоелектроніки, електрофотогафії, молекулярної фотоніки, сенсорики та в темплатних технологіях. Показано ефе Автори роботи Барабаш Максим Юрійович Сперкач Світлана Олексіївна Шевченко Андрій Борисович Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити