Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0214U005049, 0112U001212 , Науково-дослідна робота Назва роботи Технологія радіаційної модифікації напівпровідникових матеріалів АІІІВV для сенсорної електроніки Назва етапу роботи Керівник роботи Большакова Інесса Антонівна, Доктор технічних наук Дата реєстрації 30-01-2014 Організація виконавець Національний університет "Львівська політехніка" Опис етапу Проведені дослідження та розроблена технологія радіаційної модифікації сенсорів на основі гетероструктур InSb/i-GaAs та InAs/i-GaAs для отримання сенсорів, параметри яких є стабільними в радіаційних умовах експлуатації. Дана технологія включає в себе процеси нейтронного опромінення сенсорів на основі InSb та InAs з подальшим відпалом опромінених зразків. Визначені технологічні режими проведення процесу радіаційної модифікації сенсорів на основі InSb та InAs, а саме: оптимальне співвідношення теплових та швидких нейтронів у потоці, оптимальну температуру процесу опромінення. Визначені технологічні параметри проведення процесу відпалу опромінених зразків для підвищення часової стабільності їх параметрів. Визначено, що радіаційна модифікація сенсорів на основі InAs приводить до підвищення радіаційної стійкості їх параметрів. Однак використання тонкоплівкових сенсорів на основі складних гетероструктур InAs, виготовлених з буферними шарами, для радіаційної модифікації не є ефективним через утворення в буферних шарах струмів розтікання. Проведені дослідження показали ефективність використання технології радіаційної модифікації для підвищення радіаційної стійкості сенсорів InSb та InAs. Радіаційномодифіковані тонкоплівкові сенсори InSb/i-GaAs показали мінімальну зміну параметрів (до 5%) при нейтронному опроміненні до Ф = 4·1017 см-2, що свідчить про їх високу радіаційну стійкість. Такий дрейф сигналу сенсора можна піддавати корекції електронікою без пониження точності вимірювання магнітного поля. Опис продукції Розроблена технологія радіаційної модифікації напівпровідникових матеріалів InAs і InSb та сенсорів на їх основі, що базується на направленій зміні їх властивостей шляхом керованого опромінення високоенергетичними частинками, дозволяє отримати сенсори магнітного поля із параметрами, стабільними в умовах жорсткого радіаційного опромінення. Автори роботи Єрмакова В.В. Большакова І.А. Гумен С.С. Загачевський Ю.В. Ковальова Н.В. Когут І.В. Козаченко Л.М. Кость Я.Я. Макідо О.Ю. Мороз А.П. Палиняк І.В. Тимошин С.В. Шуригін Ф.М. Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити