Реєстраційний номер
0214U005448,
0114U001824
, Науково-дослідна робота
Назва роботи
Розроблення базових нанотехнологій створення активних елементів джерел НВЧ-випромінювання в терагерцовому діапазоні на основі напівпровідникових структур A3B5 з наноструктурними буферними шарами і структурованими дифузійними бар'єрами
Назва етапу роботи
Керівник роботи
Шеремет Володимир Миколайович,
Дата реєстрації
30-12-2014
Організація виконавець
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України
Опис етапу
Розроблена базова конструкція чипів активних елементів на основі структур n+-n-n+GaN для джерел випромінювання в діапазоні частот 90-110 ГГц. Отримані результати математичного моделювання.активних елементів з міждолинним переносом носіїв заряду. Проведені дослідження макетних зразків GaN n+-n-n+ структур малого діаметру показали можливість побудови на їх основі активних надвисокочастотних елементів.
Опис продукції
Базова конструкція чипів активних елементів на основі структур n+-n-n+GaN для джерел випромінювання в діапазоні частот 90-110 ГГц. Отримані результати математичного моделювання.активних елементів з міждолинним переносом носіїв заряду. Макетні зразки GaN n+-n-n+ структур малого діаметру показали можливість побудови на їх основі активних надвисокочастотних елементів.
Автори роботи
Конакова Р.В.
Кудрик Я.Я.
Саченко А.В.
Сліпокуров В.С.
Додано/оновлено в НРАТ
2020-04-02
