Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0214U005448, 0114U001824 , Науково-дослідна робота Назва роботи Розроблення базових нанотехнологій створення активних елементів джерел НВЧ-випромінювання в терагерцовому діапазоні на основі напівпровідникових структур A3B5 з наноструктурними буферними шарами і структурованими дифузійними бар'єрами Назва етапу роботи Керівник роботи Шеремет Володимир Миколайович, Дата реєстрації 30-12-2014 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України Опис етапу Розроблена базова конструкція чипів активних елементів на основі структур n+-n-n+GaN для джерел випромінювання в діапазоні частот 90-110 ГГц. Отримані результати математичного моделювання.активних елементів з міждолинним переносом носіїв заряду. Проведені дослідження макетних зразків GaN n+-n-n+ структур малого діаметру показали можливість побудови на їх основі активних надвисокочастотних елементів. Опис продукції Базова конструкція чипів активних елементів на основі структур n+-n-n+GaN для джерел випромінювання в діапазоні частот 90-110 ГГц. Отримані результати математичного моделювання.активних елементів з міждолинним переносом носіїв заряду. Макетні зразки GaN n+-n-n+ структур малого діаметру показали можливість побудови на їх основі активних надвисокочастотних елементів. Автори роботи Конакова Р.В. Кудрик Я.Я. Саченко А.В. Сліпокуров В.С. Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити