Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 0214U005449, 0114U001825 , Науково-дослідна робота Назва роботи Розроблення фізико-технологічних основ нанотехнологій виготовлення високоефективних діодів Ганна терагерцового діапазону на основі фосфідіндієвих епітаксійних структур з вбудованими буферними "еластичними" нанопористими шарами Назва етапу роботи Керівник роботи Конакова Раїса Василівна, Дата реєстрації 30-12-2014 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України Опис етапу Розроблені фізико-технологічні основи створення термостійкої контактної металізації з наноструктурними дифузійними бар'єрами на основі ТіВх до фосфідіндієвих епітаксійних структур. Встановлений критерій ненадійної роботи діодів Ганна терагерцового діапазону на основі фосфідіндієвих епітаксійних структур з вбудованими буферними "еластичними" нанопористими шарами при наявності нелінійності вольтамперної характеристики. Опис продукції Нанотехнології виготовлення високоефективних діодів Ганна терагерцового діапазону, схеми та технологічні маршрути виготовлення діодних чіпів. Автори роботи Конакова Р.В. Кудрик Я.Я. Мілєнін В.В. Новицький С.В. Саченко А.В. Сліпокуров В.С. Шеремет В.М. Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити
НДДКР ОК
Розроблення фізико-технологічних основ нанотехнологій виготовлення високоефективних діодів Ганна терагерцового діапазону на основі фосфідіндієвих епітаксійних структур з вбудованими буферними "еластичними" нанопористими шарами
Керівник: Конакова Раїса Василівна. Розроблення фізико-технологічних основ нанотехнологій виготовлення високоефективних діодів Ганна терагерцового діапазону на основі фосфідіндієвих епітаксійних структур з вбудованими буферними "еластичними" нанопористими шарами. (Етап: ). Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України. № 0214U005449
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2026-03-15


Роздрукувати цю сторінку