Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0214U006465, 0111U004895 , Науково-дослідна робота Назва роботи Дослідження і розробка технології рафінування технічного кремнію фізико-металургійним способом Назва етапу роботи Керівник роботи Гасик Михайло Іванович, Дата реєстрації 28-04-2014 Організація виконавець Національна металургійна академія України Опис етапу Дослідженнями проведеними на створеній в умовах Національної металургійної академії України лабораторній установці випробувана технологія рафінування кремнію металургійної якості для отримання матеріалу що може бути використаний у сонячних елементах, а також випробуване необхідне для її реалізації промислове обладнання. Підтверджена доцільність і перспективність запропонованої технології. Отримано рафінований кремній сонячної якості з питомим електроопором до 0,45 Ом.см, що відповідає ПЕО SOG-Si. Експериментально доведено можливість видалення за рахунок вакуумного електронно-променевого рафінування елементів, тиск насичених парів яких значно менше тиску парів кремнію Дослідження показали можливість отримання після електронно-променевого переплаву полікремнію із середнім діаметр зерна більше 1 мм, що перевищує товщину сучасних пластин сонячного кремнію і вказує на можливість використання його для виготовлення пластин SOG-Si Експериментально доведено можливість отримання монокристала кремнію з бездефектної структурою при використанні як сировини попередньо рафінованого електронно-променевої технологією MG-Si Опис продукції Технологія рафінування технічного кремнію фізико-металургійним способом. На створеній в умовах Національної металургійної академії України лабораторній установці випробувана технологія рафінування кремнію металургійної якості для отримання матеріалу що може бути використаний у сонячних елементах. Підтверджена перспективність запропонованої технології. Експериментально доведено можливість видалення за рахунок вакуумного електронно-променевого рафінування елементів, тиск насичених парів яких значно менше тиску парів кремнію Дослідження показали можливість отримання після електронно-променевого переплаву полікремнію із середнім діаметр зерна більше 1 мм, що перевищує товщину сучасних пластин сонячного кремнію і вказує на можливість використання його для виготовлення пластин SOG-Si Автори роботи Ганцеровский О.Г. Зубов В,Л. Каленіна С.Я. Переверзев О.Д. Попова Л.Є Рогачов І.П. Сидоренко В.В. Таран О.Ю. Терешкова Н.П. Трунова І.В. Цвітков І.В. Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити