Реєстраційний номер
0214U006465,
0111U004895
, Науково-дослідна робота
Назва роботи
Дослідження і розробка технології рафінування технічного кремнію фізико-металургійним способом
Назва етапу роботи
Керівник роботи
Гасик Михайло Іванович,
Дата реєстрації
28-04-2014
Організація виконавець
Національна металургійна академія України
Опис етапу
Дослідженнями проведеними на створеній в умовах Національної металургійної академії України лабораторній установці випробувана технологія рафінування кремнію металургійної якості для отримання матеріалу що може бути використаний у сонячних елементах, а також випробуване необхідне для її реалізації промислове обладнання. Підтверджена доцільність і перспективність запропонованої технології. Отримано рафінований кремній сонячної якості з питомим електроопором до 0,45 Ом.см, що відповідає ПЕО SOG-Si. Експериментально доведено можливість видалення за рахунок вакуумного електронно-променевого рафінування елементів, тиск насичених парів яких значно менше тиску парів кремнію Дослідження показали можливість отримання після електронно-променевого переплаву полікремнію із середнім діаметр зерна більше 1 мм, що перевищує товщину сучасних пластин сонячного кремнію і вказує на можливість використання його для виготовлення пластин SOG-Si Експериментально доведено можливість отримання монокристала кремнію з бездефектної структурою при використанні як сировини попередньо рафінованого електронно-променевої технологією MG-Si
Опис продукції
Технологія рафінування технічного кремнію фізико-металургійним способом. На створеній в умовах Національної металургійної академії України лабораторній установці випробувана технологія рафінування кремнію металургійної якості для отримання матеріалу що може бути використаний у сонячних елементах. Підтверджена перспективність запропонованої технології. Експериментально доведено можливість видалення за рахунок вакуумного електронно-променевого рафінування елементів, тиск насичених парів яких значно менше тиску парів кремнію Дослідження показали можливість отримання після електронно-променевого переплаву полікремнію із середнім діаметр зерна більше 1 мм, що перевищує товщину сучасних пластин сонячного кремнію і вказує на можливість використання його для виготовлення пластин SOG-Si
Автори роботи
Ганцеровский О.Г.
Зубов В,Л.
Каленіна С.Я.
Переверзев О.Д.
Попова Л.Є
Рогачов І.П.
Сидоренко В.В.
Таран О.Ю.
Терешкова Н.П.
Трунова І.В.
Цвітков І.В.
Додано/оновлено в НРАТ
2020-04-02
