Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0214U006883, 0108U004836 , Науково-дослідна робота Назва роботи Розроблення і створення матриць сенсорних діодних структур та приладу для детектування ядерного випромінювання Назва етапу роботи Керівник роботи Власенко Олександр Іванович, Дата реєстрації 03-03-2014 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України Опис етапу Розроблено метод нанесення електродів на на високоомні кристали CdTe для отримання омічних і бар'єрних контактів. Формування бар'єрних структур (p-n переходу, бар'єру Шотки) на кристалах CdTe, визначення електричних та фотоелектричних характеристик діодів і розвиток методів їх оптимізації. Опис продукції Розроблено метод нанесення електродів на на високоомні кристали CdTe для отримання омічних і бар'єрних контактів. Сформовано бар'єрні структури (p-n переходу, бар'єру Шотки) на кристалах CdTe, визначення електричних та фотоелектричних характеристик діодів і розвиток методів їх оптимізації. Автори роботи Велещук В.П. Власенко З.К. Гнатюк В. А. Левицький С.М. Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити