Реєстраційний номер
0214U006883,
0108U004836
, Науково-дослідна робота
Назва роботи
Розроблення і створення матриць сенсорних діодних структур та приладу для детектування ядерного випромінювання
Назва етапу роботи
Керівник роботи
Власенко Олександр Іванович,
Дата реєстрації
03-03-2014
Організація виконавець
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України
Опис етапу
Розроблено метод нанесення електродів на на високоомні кристали CdTe для отримання омічних і бар'єрних контактів. Формування бар'єрних структур (p-n переходу, бар'єру Шотки) на кристалах CdTe, визначення електричних та фотоелектричних характеристик діодів і розвиток методів їх оптимізації.
Опис продукції
Розроблено метод нанесення електродів на на високоомні кристали CdTe для отримання омічних і бар'єрних контактів. Сформовано бар'єрні структури (p-n переходу, бар'єру Шотки) на кристалах CdTe, визначення електричних та фотоелектричних характеристик діодів і розвиток методів їх оптимізації.
Автори роботи
Велещук В.П.
Власенко З.К.
Гнатюк В. А.
Левицький С.М.
Додано/оновлено в НРАТ
2020-04-02
