Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0214U006929, 0110U004551 , Науково-дослідна робота Назва роботи Фізичні механізми утворення нанорозмірних структур на поверхні напівпровідників при імпульсному лазерному опроміненні Назва етапу роботи Керівник роботи Власенко Олександр Іванович, Дата реєстрації 28-03-2014 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України Опис етапу Отримано наноструктури на поверхні CdTe після опромінення другою гармонікою неодимового лазера (0,53 мкм) з тривалістю імпульсу 7 нс. Латеральні розміри куполоподібних структур становлять d =(11,6 - 15,6) нм, висота h = 1,5 нм при густині потужності І = 12 МВт/см2. При опроміненні при І = 18 МВт/см2, тобто дещо нижче порогу плавлення кристалу густина наноструктур збільшується. При опроміненні кристалів з густиною потужності біля порогу плавлення поверхні (І=20,8 МВт/см2) формуються структури більш великих розмірів: d =(34 - 80) нм, h = (5-16) нм. Отримано спектри КРС наноструктурованих кристалів CdTe. Опис продукції Отримано наноструктури на поверхні CdTe після опромінення другою гармонікою неодимового лазера (0,53 мкм) з тривалістю імпульсу 7 нс. Латеральні розміри куполоподібних структур становлять d =(11,6 - 15,6) нм, висота h = 1,5 нм при густині потужності І = 12 МВт/см2. При опроміненні при І = 18 МВт/см2, тобто дещо нижче порогу плавлення кристалу густина наноструктур збільшується. При опроміненні кристалів з густиною потужності біля порогу плавлення поверхні (І=20,8 МВт/см2) формуються структури більш великих розмірів: d =(34 - 80) нм, h = (5-16) нм. Автори роботи Байдулаєва Алія Бойко Микола Іванович Велещук Віталій Петрович Гнатюк Володимир Анастасійович Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити