Реєстраційний номер
0214U006929,
0110U004551
, Науково-дослідна робота
Назва роботи
Фізичні механізми утворення нанорозмірних структур на поверхні напівпровідників при імпульсному лазерному опроміненні
Назва етапу роботи
Керівник роботи
Власенко Олександр Іванович,
Дата реєстрації
28-03-2014
Організація виконавець
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України
Опис етапу
Отримано наноструктури на поверхні CdTe після опромінення другою гармонікою неодимового лазера (0,53 мкм) з тривалістю імпульсу 7 нс. Латеральні розміри куполоподібних структур становлять d =(11,6 - 15,6) нм, висота h = 1,5 нм при густині потужності І = 12 МВт/см2. При опроміненні при І = 18 МВт/см2, тобто дещо нижче порогу плавлення кристалу густина наноструктур збільшується. При опроміненні кристалів з густиною потужності біля порогу плавлення поверхні (І=20,8 МВт/см2) формуються структури більш великих розмірів: d =(34 - 80) нм, h = (5-16) нм. Отримано спектри КРС наноструктурованих кристалів CdTe.
Опис продукції
Отримано наноструктури на поверхні CdTe після опромінення другою гармонікою неодимового лазера (0,53 мкм) з тривалістю імпульсу 7 нс. Латеральні розміри куполоподібних структур становлять d =(11,6 - 15,6) нм, висота h = 1,5 нм при густині потужності І = 12 МВт/см2. При опроміненні при І = 18 МВт/см2, тобто дещо нижче порогу плавлення кристалу густина наноструктур збільшується. При опроміненні кристалів з густиною потужності біля порогу плавлення поверхні (І=20,8 МВт/см2) формуються структури більш великих розмірів: d =(34 - 80) нм, h = (5-16) нм.
Автори роботи
Байдулаєва Алія
Бойко Микола Іванович
Велещук Віталій Петрович
Гнатюк Володимир Анастасійович
Додано/оновлено в НРАТ
2020-04-02
