Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 0214U006930, 0110U004551 , Науково-дослідна робота Назва роботи Фізичні механізми утворення нанорозмірних структур на поверхні напівпровідників при імпульсному лазерному опроміненні Назва етапу роботи Керівник роботи Власенко Олександр Іванович, Дата реєстрації 28-03-2014 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України Опис етапу Досліджено фізико-технологічні умови процесів формування нанорозмірних структур на поверхні напівпровідникових кристалів CdMnTe, GaAs, CdTe при опроміненні імпульсами різної тривалості рубінового лазера та другою гармонікою неодимового лазера до та після порогу плавлення. Вивчено морфологічні параметри структур, розраховано градієнти температури та термопружних напруг при імпульсному лазерному опроміненні для оптимального наноструктурування. Опис продукції Отримані фізико-технологічні умови формування наноструктур на поверхні напівпровідникових кристалів CdMnTe, GaAs, CdTe при опроміненні імпульсами наносекундної тривалості рубінового та неодимового лазерів як до, так і після порогу плавлення. Встановлено параметри наноструктур. Автори роботи Бойко Микола Іванович Велещук Віталій Петрович Власенко Зоя Костянтинівна Гнатюк Володимир Анастасійович Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити
НДДКР ОК
Керівник: Власенко Олександр Іванович. Фізичні механізми утворення нанорозмірних структур на поверхні напівпровідників при імпульсному лазерному опроміненні. (Етап: ). Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України. № 0214U006930
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2026-03-17