Реєстраційний номер
0214U008306,
0114U003543
, Науково-дослідна робота
Назва роботи
Розробка технології одержання захисних високоомних шарів нанокристалічного карбіду кремнію для підвищення надійності твердотільних потужних приладів діапазону надвисоких частот
Назва етапу роботи
Керівник роботи
Пузіков Вячеслав Михайлович,
Дата реєстрації
25-12-2014
Організація виконавець
Інститут монокристалів НАН України
Опис етапу
Відпрацьовані технологічні процеси виготовлення високоомних захисних шарів на основі нанокристалічних плівок SiC. Високовольтні НВЧ p-i-n діоди з захисним покриттям показали високу стабільність параметрів за підвищеної температури. Захисні плівки на основі нанокристалічного SiC проявляють стабільність структури та електрофізичних параметрів в діапазоні температури 2-600 К та впливу магнітного полю до 14 Тл
Опис продукції
Відпрацьовані технологічні процеси виготовлення високоомних захисних шарів на основі нанокристалічних плівок SiC. Високовольтні НВЧ p -i -n діоди з захисним покриттям показали високу стабільність параметрів за підвищеної температури. Захисні плівки на основі нанокристалічного SiC проявляють стабільність структури та електрофізичних параметрів в діапазоні температури 2 -600 К та впливу магнітного полю до 14 Тл.
Автори роботи
Козловський Анатолый Антонович
Мудрова Ельвіра Олександрівна
Семенов Олександр Володимирович
Скорик Станіслав Миколайович
Шевченко Максим Олегович
шморгун Віта Петрівна
Додано/оновлено в НРАТ
2020-04-02
