Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 0216U008260, 0115U005037 , Науково-дослідна робота Назва роботи Дослідження наноструктур на основі багатокомпонентних напівпровідникових халькогенідів металів як матеріалів нового покоління фотовольтаїки та люмінесцентних біоміток Назва етапу роботи Керівник роботи Валах Михайло Якович, Доктор фізико-математичних наук Дата реєстрації 16-12-2016 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України Опис етапу Вперше методами теорії густини станів (DFT) розраховані фононні спектри декількох актуальних четверних сполук халькогенідів металів першої, другої і четвертої груп періодичної системи. Виконані експериментальні дослідження Раманівського розсіювання кристалів Cu2ZnGeS4, Cu2ZnSiSe4 і змішаних Cu2Zn(Sn1-xGex)S4 і одержано добре узгодження з теоретичними розрахунками. Встановлені і пояснені аномальні властивості динаміки гратки цього класу кристалів порівняно з класичними напівпровідниками А2В6 і А3В5. Опис продукції Оптичними та теоретичними методами одержані численні дані про різні типи фононних спектрів у напівпровідниках типу Cu2ZnGeS4, Cu2ZnSiSe4 і змішаних Cu2Zn(Sn1-xGex)S4. Автори роботи Бабічук І.С. В.О. Юхимчук Ворона І.П. Гаврилюк Е.О. Джаган В.М. Романюк Ю.А. Чорна Л.Б. Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити
НДДКР ОК
Дослідження наноструктур на основі багатокомпонентних напівпровідникових халькогенідів металів як матеріалів нового покоління фотовольтаїки та люмінесцентних біоміток
Керівник: Валах Михайло Якович. Дослідження наноструктур на основі багатокомпонентних напівпровідникових халькогенідів металів як матеріалів нового покоління фотовольтаїки та люмінесцентних біоміток. (Етап: ). Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України. № 0216U008260
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2026-03-19


Роздрукувати цю сторінку