Реєстраційний номер
0218U001615,
0114U000940
, Науково-дослідна робота
Назва роботи
Розроблення і створення багатофункціональних дво- та три-термінальних напівпровідникових наносенсорів
Назва етапу роботи
Керівник роботи
Кочелап В'ячеслав Олександрович,
Дата реєстрації
04-04-2018
Організація виконавець
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова Національної академії наук України
Опис етапу
Представлено результати дослідження, розроблення і створення нових дво- та три-термінальних електронних наносенсорів з застосуванням складних 1D/2D квантових наноструктур з нітрид-галієвих сполук, зокрема гібридних польових транзисторних та діодних GaN/AlGaN FET та HEMT структур з нанодротами. Результати свідчать про перспективність даного напрямку розробок для створення лінійки функціональних наносенсорів на одній технологічній платформі для використання в інтегральних мультисенсорних системах, призначених для інтелектуальних сенсорних технологій, що проектуються для впровадження у базових секторах економіки.
Опис продукції
Багатофункціональні дво- та три-термінальних електронні наносенсори, які сумісні с інтегральними напівпровідниковими технологіями наноелектроніки та оптоелектроніки, розроблені на основі гібридних польових транзисторних та діодних приладових структур FET і HEMT типу з застосуванням складних 1D/2D квантових гетероструктур, виготовлених з нітрид-галієвих сполук типу GaN/AlGaN з нанодротами. Наносенсори мають високі показники чутливості, селективності та швидкодії, орієнтовані на використання в інтегральних мультисенсорних системах, призначених для інтелектуальних сенсорних технологій, що проектуються.
Автори роботи
Бєляєв О.Є.
Бойко I.I.
Захаренко О.М.
Кладько В.П.
Коротєєв В.В.
Кочелап В.О..
Кухтарук С.М.
Лiннiк Т.Л.
Наумов А.В.
Наумов В.В.
Пiпа В.Й.
Райчев О.Е.
Райчева В.Г.
Рудзинський В.С.
Сингаївська Г.I.
Соколов В.М.
Соскiн С.М.
Стрiха М.В.
Шека Г.К.
Яшин Е.I.
Додано/оновлено в НРАТ
2020-04-02
