Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 0218U001670, 0115U002975 , Науково-дослідна робота Назва роботи Дослідження нерівноважних носіїв заряду та фононів у складних наноструктурах на основі напівпровідникових сполук А3В5. Назва етапу роботи Керівник роботи Порошин Володимир Миколайович, Дата реєстрації 16-05-2018 Організація виконавець Інститут фізики НАН України Опис етапу Наведені результати теоретичного розгляду явища подвійної латеральної інжекції та моделювання інжекційних світлодіодних p-i-n структур на основі з'єднань ІІІ-V та ІІІ-нітридів. Показано, що подвійна латеральна інжекція дозволяє отримати нерівноважну електронно-діркову плазму достатньої густини та реалізувати інверсну заселеність для міжзонних фотопереходів та підсилення відповідного випромінювання. Проведено розрахунок переходу електронів з квантової ями у фрагмент короткоперіодної надгратки гетероструктур на основі напівпровідників А3В5, який ініціюється розігрівом носіїв заряду прикладеним поздовжнім електричним полем. Показана можливість отримання інверсії заселеності підзон розмірного квантування при досить малих полях. Наведені результати дослідження особливості електричного транспорту в гетероструктурах n-AlXGa1 - XAs/GaAs в умовах латеральної інжекції неосновних носіїв струму. Описано технологія отримання інжекційних електричних контактів, результати дослідження впливу інжекції на вид вольт-амперної характеристики. Приведені рекомендації щодо практичного використання результатів роботи (отримання електромагнітного випромінювання терагерцового та видимого діапазонів). Опис продукції Показано, що подвійна латеральна інжекція в світлодіодних p-i-n структур на основі з'єднань ІІІ-V та ІІІ-нітридів дозволяє отримати нерівноважну електронно-діркову плазму достатньої густини та реалізувати інверсну заселеність для міжзонних фотопереходів та підсилення відповідного випромінювання. Показана можлівисть отримання інверсії заселеності підзон розмірного квантування при досить малих полях за розрахунок переходу гарячих електронів з квантової ями у фрагмент короткоперіодної надгратки гетероструктур на основі напівпровідників А3В5. Автори роботи Більовський Павло Антонович Вайнберг Віктор Володимирович Винославський Михайло Миколайович Пилипчук Олександр Сергійович Порошин Володимир Миколайович Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити
НДДКР ОК
Керівник: Порошин Володимир Миколайович. Дослідження нерівноважних носіїв заряду та фононів у складних наноструктурах на основі напівпровідникових сполук А3В5.. (Етап: ). Інститут фізики НАН України. № 0218U001670
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2026-03-16