Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0218U003186, 0117U003568 , Науково-дослідна робота Назва роботи Теоретичне та експериментальне дослідження механізмів струмопереносу в омічних контактах до n+ та n+-n-Si з сильним виродженням електронів в приконтактній області Назва етапу роботи Керівник роботи Конакова Р.В., Дата реєстрації 25-01-2018 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова Національної академії наук України Опис етапу За допомогою аналізу дифузійного розсіяння рентгенівських променів в 2Q-, Q-w та w-сканах проведена оцінка щільності структурних дефектів в n+ шарах Si сформованих дифузією фосфору, гомогенності їх розподілу по пластині та обраховано внутрішні механічні напруги і концентрацію дислокацій. Встановлено, що оптимальні параметри термообробки при дифузії фосфору для створення -n+ шару в кремнії товщиною 0,5 мкм складають: Т відпалу 925 оС, 23 хв - при нижчих Т значно вища кількість дефектів вакансійного типу, а при вищих - відбувається значний зріст довжини дислокацій, які можуть проростати у активну область. Експериментально досліджено температурну залежність питомого опору rc(T) контактів на основі Au-Ti-Pd-n+-n-n+-Si та показано, що реалізується падаюча залежність, яка добре описується термопольовим механізмом струмопереносу. Опис продукції Розроблено технологію створення омічного контакту з покращеною межею розділу на основі Au-Ti-Pd-n+-n-n+-Si для лавино-пролітних діодів. Модифіковано модель вертикального і планарного контактів для розрахунку температурної залежності питомого контактного опору для різних ступенів легування та щільності структурних дефектів в приконтактних n+ шарах Si та проведено її апробацію на основі експериментальних досліджень rс(Т). Автори роботи Дуб М.М. Капітанчук Л.М. Кудрик Я.Я. Міленін В.Г. Охріменко О.Б. Редько Р.А. Редько С.М. Романець П.М. Сай П.О. Саченко А.В. Сліпокуров В.С. Шинкаренко В.В. Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити