Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0218U003990, 0118U004772 , Науково-дослідна робота Назва роботи Розробка нових технологічних принципів створення планарних композиційних наноструктур на основі оксиду кремнію з реактивним імпедансом індуктивного типу Назва етапу роботи Керівник роботи Євтух Анатолій Антонович, Дата реєстрації 11-10-2018 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова Національної академії наук України Опис етапу В результаті виконання роботи на першому етапі проведені виміри електрофізичних характеристик кремнієвих структур з нестехіометричною збагаченою кремнієм плівкою SiOx та композитних плівок SiO2 з нанокристалами Si та металевими включеннями. В результаті аналізу провідності зазначених вище плівок (на основі проведених вимірів) встановлені механізми їх електропровідності в залежності від різних впливів (середовище відпалу, температура виміру, прикладена напруга). Показано, що в збагаченій кремнієм плівці SiOx відпал в аргоні при Т = 1100 С зменшує електропровідність при більш високих напругах в порівнянні з відпалом в азоті, а в тих же плівках з металевими включеннями ситуація зворотна. Наявність металевих включень призводить також до значного зростання витоків струму при малих напругах. Величина цих струмів витоків залежить від середовища відпалу. Отримані результати аналізу ВАХ вказують на необхідність дослідження ємністних характеристик відпалених в аргоні плівок SiOх та відпалених в азоті плівок SiOх(Fe) з метою визначення умов отримання ефекту реактивного імпедансу індуктивного типу. Опис продукції Технологічні процеси виготовлення кремнієвих структур з нестехіометричною збагаченою кремнієм плівкою SiOx та композитних плівок SiO2(Si) та SiO2(Si,Me). Результати досліджень структурних характеристик плівок SiOx та SiO2(Si) Автори роботи Євтух Анатолій Антонович Братусь Олег Леонідович Кизяк Анатолій Юрійович Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити