Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0219U100421, 0116U003504 , Науково-дослідна робота Назва роботи Тонкоплівкові оксидні матеріали n- і p-типу провідності для фотовольтаїчних перетворювачів Назва етапу роботи Керівник роботи Лашкарьов Георгій Вадимович, Доктор фізико-математичних наук Дата реєстрації 12-02-2019 Організація виконавець Інститут проблем матеріалознавства ім. І.М.Францевича НАН України Опис етапу Представлено результати досліджень фізичних процесів росту плівок оксиду цинку, легованих алюмінієм, азотом та сріблом, а також плівок NiO та CuAlO2 p-типу провідності, які розкривають взаємозв'язок між технологічними параметрами з одного боку та електричними, фотоелектричними і оптичними характеристиками з іншого. Проведено комп'ютерне моделювання поведінки донорної домішки Al в ZnO. Опис продукції Прозорі електроди на основі плівок ZnO, леговані алюмінієм. Напівпровідникові тонкі плівки NiO p-типу провідності як елементи прозорих гетероструктур та тонкоплівкових фотовольтаїчних перетворювачів. Вирощені плівки ZnO:Al з питомим опором 600 мкОм·см і оптичним пропусканням 90 % та плівки NiO з питомим опором 1-10 Ом·см і оптичним пропусканням 70 % є перспективними для фотовольтаїчних перетворювачів. Характеристики вирощених плівок знаходятся на одному рівні з існуючими світовими аналогами. ZnO:Al та NiO - недорогі фотоелектронні матеріали з простою технологією осадження. ZnO - eкологічно чистий біосумісний матеріал, без шкідливих викидів при виробництві. Автори роботи Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити