Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0219U102100, 0119U002247 , Науково-дослідна робота Назва роботи Формування варізонних плівкових структур на основі CdSeхTe1-х для сонячних елементів та оптимізація їх властивостей Назва етапу роботи Керівник роботи Дата реєстрації 19-12-2019 Організація виконавець Національний університет "Львівська політехніка" Опис етапу Розраховано з перших принципів хвильові функції електрона і кристалічного потенціалу та розраховано електронну структуру та густину станів твердого розчину CdSeхTe1-х. Розв’язано квантово-механічну задачу розсіяння носія заряду на близькодіючому потенціалі для різних типів точкових дефектів для твердого розчину CdSeхTe1-х. Встановлено та відпрацьовано оптимальні технологічні режими що забезпечують формування осадження тонких напівпровідникових плівок бінарних сполук A2B6. Проведено експериментальне та теоретичне дослідження структурних, оптичних, електрофізичних та оптоелектричних характеристик напівпровідникових плівок бінарних сполук A2B6 та поверхнево бар’єрних структур на їх основі. Встановлено технологічні режими, що забезпечують одержання напівпровідникових плівок твердих розчинів сполук групи A2B6, зокрема, твердого розчину CdSeTe. Опис продукції Тонкі напівпровідникові плівки бінарних сполук CdSe, CdTe, CdS та твердих розчинів на їх основі CdSeTe, CdSeS характеризуються рівномірним розподілом зерен сполуки по всій площині підкладки. Рентгеноструктурний аналіз підтвердив формування напівпровідникових сполук CdSe, CdS (просторова група P63mc), CdTe (структурний тип ZnS, просторова група F43m), CdSeS (просторова група – P63mc, з параметрами елементарної комірки a = 4.2151 (1) Å, c = 6.8969 (3) Å. Значення оптичної ширини забороненої зони, що для CdSe становить 1.68 еВ, для CdTe – 1.45 еВ та для CdS – 2.39 еВ. Залежність ширини забороненої зони твердих розчинів CdSeS може змінюватися за законом Вегарда від 1.8 еВ (для x = 0.875) до 2.3 еВ (для x = 0.175). Одержані якісні плівки можуть бути використані для подальшої реалізації варізонних структур на їх основі та застосування у сонячних елементах. Автори роботи Гончар Федір Михайлович Данилов Андрій Богданович Зачек Ігор Романович Змійовська Емілія Омелянівна Кашуба Андрій Іванович Круковський Семен Іванович Лісних Дем’ян Олегович Лопатинський Іван Євстахович Малик Орест Петрович Орлов Олександр Олександрович Петрусь Роман Юрійович Семків Ігор Володимирович Сиротюк Степан Васильович Українець Наталія Андріївна Цюпко Федір Іванович Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити