Реєстраційний номер
0220U102388,
0115U002975
, Науково-дослідна робота
Назва роботи
Дослідження нерівноважних носіїв заряду та фононів у складних наноструктурах на основі напівпровідникових сполук А3В5.
Назва етапу роботи
Керівник роботи
Порошин Володимир Миколайович, Доктор фізико-математичних наук
Дата реєстрації
12-03-2020
Організація виконавець
Інститут фізики Національної академії наук України
Опис етапу
Досліджено особливості біполярного транспорту носіїв заряду в гетероструктурах на основі напівпровідникових сполук А3В5 з асиметричними подвійними квантовими ямами в повздовжньому електричному полі і випромінювання носіями інфрачервоного світла, обумовленого розігрівом носіїв полем. Встановлено, що в умовах наявності носіїв заряду обох знаків (електронів і дірок) польові залежності току і інтенсивності міжпідзонної люмінесценції залежать від товщини бар'єрів між ямами. Для товстих бар'єрів виявлені високочастотні коливання струму, які виникають в полях, менших порогових полів нестабільності струму Ганнівського типу, упродовж часів, менших 400 нс, коли акустоелектричні явища несуттєві. Запропоновано механізм виникнення спостережуваних струмових нестійкостей, який пов’язується з просторовим переходом носіїв: електронів та дірок, з нелегованих квантових ям у леговані ями, що призводить до зменшення рухливості та концентрації носіїв внаслідок зростання домішкового розсіяння та швидкості між зонної рекомбінації електронів та дірок. Різниця в поведінці струму і інтенсивності внутрішньозонного терагерцового випромінювання для різних товщин бар'єру між ямами пояснено конкуренцією двох процесів - випромінювальної рекомбінації дірок з електронами у вузьких ямах і тунелювання дірок з вузьких квантових ям в широкі ями.
Опис продукції
В гетероструктурах на основі напівпровідникових сполук А3В5 з асиметричними подвійними квантовими ямами виявлена залежність біполярного транспорту носіїв заряду в повздовжньому електричному полі і випромінювання носіями інфрачервоного світла, обумовленого розігрівом носіїв полем, від товщини від товщини бар'єрів між ямами. Ефект пояснено конкуренцією двох процесів - випромінювальної рекомбінації дірок з електронами у вузьких ямах і тунелювання дірок з вузьких квантових ям в широкі ями.
Автори роботи
Більовський Павло Антонович
Вайнберг Віктор Володимирович
Винославський Михайло Миколайович
Кочелап В’ячеслав Олександрович
Пилипчук Олександр Сергійович
Порошин Володимир Миколайович
Чорноморець Надія Федорівна
Додано/оновлено в НРАТ
2020-04-01
