Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0220U102388, 0115U002975 , Науково-дослідна робота Назва роботи Дослідження нерівноважних носіїв заряду та фононів у складних наноструктурах на основі напівпровідникових сполук А3В5. Назва етапу роботи Керівник роботи Порошин Володимир Миколайович, Доктор фізико-математичних наук Дата реєстрації 12-03-2020 Організація виконавець Інститут фізики Національної академії наук України Опис етапу Досліджено особливості біполярного транспорту носіїв заряду в гетероструктурах на основі напівпровідникових сполук А3В5 з асиметричними подвійними квантовими ямами в повздовжньому електричному полі і випромінювання носіями інфрачервоного світла, обумовленого розігрівом носіїв полем. Встановлено, що в умовах наявності носіїв заряду обох знаків (електронів і дірок) польові залежності току і інтенсивності міжпідзонної люмінесценції залежать від товщини бар'єрів між ямами. Для товстих бар'єрів виявлені високочастотні коливання струму, які виникають в полях, менших порогових полів нестабільності струму Ганнівського типу, упродовж часів, менших 400 нс, коли акустоелектричні явища несуттєві. Запропоновано механізм виникнення спостережуваних струмових нестійкостей, який пов’язується з просторовим переходом носіїв: електронів та дірок, з нелегованих квантових ям у леговані ями, що призводить до зменшення рухливості та концентрації носіїв внаслідок зростання домішкового розсіяння та швидкості між зонної рекомбінації електронів та дірок. Різниця в поведінці струму і інтенсивності внутрішньозонного терагерцового випромінювання для різних товщин бар'єру між ямами пояснено конкуренцією двох процесів - випромінювальної рекомбінації дірок з електронами у вузьких ямах і тунелювання дірок з вузьких квантових ям в широкі ями. Опис продукції В гетероструктурах на основі напівпровідникових сполук А3В5 з асиметричними подвійними квантовими ямами виявлена залежність біполярного транспорту носіїв заряду в повздовжньому електричному полі і випромінювання носіями інфрачервоного світла, обумовленого розігрівом носіїв полем, від товщини від товщини бар'єрів між ямами. Ефект пояснено конкуренцією двох процесів - випромінювальної рекомбінації дірок з електронами у вузьких ямах і тунелювання дірок з вузьких квантових ям в широкі ями. Автори роботи Більовський Павло Антонович Вайнберг Віктор Володимирович Винославський Михайло Миколайович Кочелап В’ячеслав Олександрович Пилипчук Олександр Сергійович Порошин Володимир Миколайович Чорноморець Надія Федорівна Додано в НРАТ 2020-04-01 Закрити