Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0220U102980, 0119U000537 , Науково-дослідна робота Назва роботи Оптика нерівноважних носіїв заряду у складних гетероструктурах на основі напівпровідникових сполук А3В5. Назва етапу роботи Керівник роботи Вайнберг Віктор Володимирович, Доктор фізико-математичних наук Дата реєстрації 03-07-2020 Організація виконавець Інститут фізики Національної академії наук України Опис етапу Досліджені оптичні явища в асиметричних селективно легованих гетероструктурах n-InxGa1-xAs/GaAs та n-AlxGa1-xAs/GaAs в умовах біполярного дрейфу нерівноважних електронно-діркових пар. Розрахований енергетичний спектр електронів та дірок у квантових ям (КЯ) таких структур, експериментально показано, що довжина їх біполярного дрейфу в n-InxGa1-xAs/GaAs на 2-3 порядки величини більше, ніж в об'ємних матеріалах. Завдяки цьому в сильному електричному полі на великій довжині вздовж КЯ виникає інтенсивна електролюмінесценція в ближньому інфрачервоному діапазоні спектру. Досліджена довготривала від’ємна фотопровідність структур. Запропонована модель для пояснення результатів. Розроблена методика створення планарних інжекційних контактів у КЯ даних структур і досліджені їх характеристики. Теоретично досліджена модель отримання інверсної населеності носіїв заряду при подвійній латеральній інжекції у КЯ на основі сполук А3В5. Дані рекомендації використання результатів в розробках оптоелектронних приладів ближнього та далекого інфрачервоного діапазонів спектру. Опис продукції Автори роботи Більовський Павло Антонович Вайнберг Віктор Володимирович Винославський Михайло Миколайович Дубіковський Олександр Володимирович Кочелап В’ячеслав Олександрович Пилипчук Олександр Сергійович Порошин Володимир Миколайович Чорноморець Надія Федорівна Додано в НРАТ 2020-07-03 Закрити