Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0223U001231, 0122U002564 , Науково-дослідна робота Назва роботи Модифікація та дослідження оптоелектронних властивостей тонких плівок і наноструктур ZnO для фотовольтаїки Назва етапу роботи Керівник роботи Васін Андрій Володимирович, Доктор фізико-математичних наук Дата реєстрації 26-01-2023 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників імені В. Є. Лашкарьова Національної академії наук України Опис етапу  Методами скануючої мікроскопії з електропровідним зондом (на основі методикі атомносилової мікроскопії) і методом спектральної еліпсометрії проведені дослідження впливу товщини плівки оксиду цинку на електронні властивості. Було встановлено нанорозмірну неоднорідність легування товстих плівок, а саме – підвищену електропровідність міжзеренних кордонів. Окрім цього виявлено неоднорідність легування за товщиною, а саме – підвищену електропровідність нижнього інтерфейсного шару. Припущено, що підвищена провідність міжзеренних границь та нижнього інтерфейсного шару пов'язані з дифузією атомарного водню каналами зі зниженою щільністю та підвищеною дефектністю, тобто по міжзереним границям. Проведені роботи з пошуку оптимізованих умов формування шарів нанострижнів оксиду цинку на поверхні плівки оксиду цинку з метою оптимізації оптичних властивостей електропровідних вікон з оксиду цинку для сонячних елементів: максимум пропускання, мінімум відбивання. Встановлено, що використання тонких плівок з мілким розміром зерна дозволяє вирощувати мілкодисперсні шарі нанострижнів. На зразках двошарових структур, з шаром нанодротів оксиду цинку товщиною близько 0.8 мкм на нелегованих зародкових шарах було отримано підвищення прозорості більш ніх на 10% у порівнянні з вихідним тонким шаром оксиду цинку без нанодротів. Опис продукції Автори роботи Гоменюк Юрій Вікторович Кисіль Дмитро Вадимович Назаров Олексій Миколайович Русавський Андрії Вадимович Додано в НРАТ 2023-01-26 Закрити