Реєстраційний номер
0223U002095,
0120U102043
, Науково-дослідна робота
Назва роботи
Кристалохімічний підхід до розробки неорганічних квантових матеріалів
Назва етапу роботи
Керівник роботи
Аксельруд Лев Гершович,
Дата реєстрації
09-02-2023
Організація виконавець
Львівський національний університет імені Івана Франка
Опис етапу
Об’єкт дослідження – багатокомпонентні сполуки з металічними та напівметалічними компонентами, які проявляють унікальні фізичні властивості і можуть бути використані для низькотемпературної спінтроніки, як топологічні ізолятори та квантові матеріали. Мета роботи – синтез нових неорганічних сполук для квантових матеріалів, встановлення їхніх кристалографічних характеристик, кількісних параметрів хімічного зв’язку, магнітних і транспортних властивостей. Дослідження спрямовані на встановлення загальної системи та алгоритмів взаємозв’язку між структурними особливостями, характером хімічного зв’язку і фізичними властивостями – основи для розробки квантових матеріалів нового покоління. Методи дослідження – синтез сплавів, термічна обробка, диференціальна скануюча калориметрія, рентгенофазовий, мікроструктурний, рентгеноспектральний, рентгеноструктурний аналізи, розрахунок електронної структури, вимірювання магнітних, електро- і теплотранспортних властивостей. Синтезовано нові структурно-модифіковані сполуки, як у вигляді високоякісних монокристалів, так і порошкоподібних зразків. Показано, що EuPd3Ga2 – кандидат в квантові матеріали; в діапазоні 0–15 К може бути резервуаром скірміонів площинного типу. Для SmGe3 виявлено умову утворення надструктури, що є важливим для індукування квантових фазових перетворень. Встановлено, що BiI3 є типовим топологічним ізолятором типу примусового напівметалу з виродженням на рівні Фермі. Структура сполуки Mg9Ge5,1 є неспіввимірно-модульованою, а Yb3Co4Ge13 є першим представником 3-вимірно модульованої структури серед ІМС. Модуляція і валентні флюктуації Yb пов’язані і є основою для направленої зміни властивостей при низьких температурах. Y5Ir6Sn18 є надпровідником II типу з Tc = 2,1 K, для якої часткове невпорядкування не веде до втрати надпровідності. Модульована сполука Fe0,62Te є напівпровідником з вузькою забороненою зоною. Досліджено більше чотирьох десятків об’єктів. Розроблено програму для інтегрування розподілу густини станів.
Опис продукції
Автори роботи
Аксельруд Лев Гершович
Белан Богдана Дмитрівна
Брода Анастасія Ігорівна
Гніліцький Ярослав Миколайович
Горинь Андрій Маркіянович
Горяча Мирослава Миронівна
Данкевич Роман Васильович
Демченко Павло Юрійович
Дзевенко Марія Віталіївна
Домінюк Наталія Ігорівна
Заремба Назар Васильович
Заремба Оксана Іванівна
Зелінський Анатолій Вікторович
Коник Марія Богданівна
Кужель Богдан Степанович
Маняко Микола Богданович
Матвіїшин Людмила Олександрівна
Мацелко Оксана Василівна
Муць Наталія Михайлівна
Ощаповський Ігор Валентинович
Пукас Світлана Ярославівна
Семусьо Наталія Зеновіївна
Серкіз Роман Ярославович
Тарасюк Іван Іванович
Токайчук Ярослав Олексійович
Шпирка Зіновія Михайлівна
Додано/оновлено в НРАТ
2023-02-09
