Реєстраційний номер
0224U031388,
0122U000942
, Науково-дослідна робота
Назва роботи
Ефективні матеріали для напівпровідникової техніки на основі халькогенідів та галогенідів металів
Назва етапу роботи
Керівник роботи
Олексеюк Іван Дмитрович, д.х.н.
Дата реєстрації
19-04-2024
Організація виконавець
Волинський національний університет імені Лесі Українки
Опис етапу
Розроблена технологія отримання сполук AgAs3Se5, Ag2GeS3, Ag2SnAs6Se12, AgGaGeS4, AgGaGe3Se8, AgGaGe5Se12, легованих одночасно двома РЗМ. Побудовані стабільна та метастабільна діаграми стану систем Ag2S(Se)–Ge(Sn)S(Se)2–As2S(Se)3 у повному концентраційному інтервалі. Досліджено кристалічні структури нових тетрарних сполук AIBIII2X3Hal, де AI – Cu, Ag; BIII – Ga, In; X S, Se, Te. Встановлено концентраційні межі легування РЗМ у системах Ga2S3–Ge(Sn)S2–As(Sb)2S3. Досліджено спектри поглинання легованих та нелегованих халькогенідів та халькогалогенідів.
Встановлено області склоутворення в системах AgHal–Ga2S3–La2S3 (50–75 мол.% Ga2S3 по перерізу La2S3–Ga2S3 та до 5-6 мол.% AgHal). За кімнатної температури досліджено спектри оптичного поглинання стекол системи Ga2S3–La2S3–Er2S3–AgCl(I) в діапазоні 4000–10500 Å. Стекла прозорі у видимому діапазоні і містять вузькі смуги поглинання в зразках легованих Ербієм.
Досліджено спектри фотолюмінесценції (ФЛ) стекол систем AgHal–Ga2S3–La2S3 з додаванням Er2S3 при збудженні лазером із довжиною хвилі 532 нм. Зафіксовано три інтенсивні максимуми ФЛ (660, 810, 855 нм) і один (980 нм) меншої інтенсивності. Одержані смуги випромінювання пов’язані з переходами в 4f оболонці іонів Ербію. З додаванням Er2S3 інтенсивність ФЛ зменшується внаслідок концентраційного гашення інтенсивності.
Області склоутворення в квазіпотрійних системах Ag2S–GeS2–As(Sb)2S3 займають більше половини поверхні площини трикутника. Максимальний вміст Ag2S, що входить до складу скла, становить 70 мол.% Ag2S на стороні Ag2S–As2S3 та 55 мол.% Ag2S на стороні Ag2S–GeS2. Для дослідження ФЛ властивостей при подвійному легуванні були обрані сплави складу 50 мол.% Ag2S – (48–х) мол.% GeS2 – 2 мол.% Nd2S3 – х мол.% Er2S3 та 20 мол.% Ag2S – 60 мол.% GeS2 – (18-y) мол.% Sb2S3 – 2 мол.% Nd2S3 – х мол.% Er2S3, де х=1, 2, 3, 4. При кімнатній температурі спектри мають два максимуми при 1070 та 1350 нм, які відповідають переходам 4F3/2→4 I11/2 та 4F3/2→4 I13/2 в іонах Nd3+.
Опис продукції
Автори роботи
Іващенко Інна Алімівна
Галян Володимир Володимирович
Галян Володимир Володимирович
Когут Юрій Миколайович
Піскач Людмила Василівна
Панкевич Володимир Зіновійович
Додано/оновлено в НРАТ
2024-04-19
