Реєстраційний номер
0225U004923,
(0124U003608)
, Науково-дослідна робота
Назва роботи
Розвиток і характеризація МДН польових транзисторів на базі двовимірних MoS2 шарів
Назва етапу роботи
Дослідження впливу ВЧ плазми на фізичні властивості тонких шарів MoS2 та вивчення електричних параметрів вихідних структур MoS2/діелектрик
Керівник роботи
Назаров Олексій Миколайович, д.ф.-м.н.
Дата реєстрації
22-12-2025
Організація виконавець
Інститут фізики напівпровідників імені В. Є. Лашкарьова Національної академії наук України
Опис роботи
Виготовлення польового транзистора на базі двовимірної (2D) плівки MoS2 з якісними межами поділу між 2D напівпровідниковою плівкою та діелектричними шарами і мінімальним зарядом в затворному діелектрику.
Опис етапу
На першому етапі НДР були проведені дослідження впливу ВЧ плазмової обробки у газовій азотно-водневої суміші та аргоні на електричні і фізико-хімічні властивості надтонких плівок і мікронних шматочків бісульфіту молібдену (MoS2). Показано, що використані плазмові обробки призводять до збільшення напруження у кристалічній гратці структури MoS2, а також значному зменшенню електричного опору тонких мікрокристалічних плівок і мікронних шматочків MoS2, що дуже важливо для формування каналів польових транзисторів, які звичайно мають значний опір.
Проведено начальні дослідження польових транзисторів, виготовлених на структурах MoS2/SiO2/Si, з відкритою поверхнею одношарової двовимірної плівки MoS2, які були виготовлені в Мікроелектронному центрі прогресивних технологій м. Аахена (Німеччина). Визначені основні електричні характеристики отриманих приладів: порогова напруга, підпороговий нахил, максимальний і мінімальний струм в каналі, густину поверхневих і приповерхневих станів на межі поділу MoS2/SiO2. На основі отриманих даних розроблені рекомендації з покращення характеристик транзисторів з двовимірними каналами на базі MoS2.
Опис продукції
Автори роботи
Тягульський Ігор Петрович
Гоменюк Юрій Вікторович
Руденко Тамара Охримівна
Кисіль Дмитро Вадимович
Назаров Олексій Миколайович
Слободян Олександр Михайлович
Додано/оновлено в НРАТ
2025-12-22