Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 0225U004923, (0124U003608) , Науково-дослідна робота Назва роботи Розвиток і характеризація МДН польових транзисторів на базі двовимірних MoS2 шарів Назва етапу роботи Дослідження впливу ВЧ плазми на фізичні властивості тонких шарів MoS2 та вивчення електричних параметрів вихідних структур MoS2/діелектрик Керівник роботи Назаров Олексій Миколайович, д.ф.-м.н. Дата реєстрації 22-12-2025 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників імені В. Є. Лашкарьова Національної академії наук України Опис роботи Виготовлення польового транзистора на базі двовимірної (2D) плівки MoS2 з якісними межами поділу між 2D напівпровідниковою плівкою та діелектричними шарами і мінімальним зарядом в затворному діелектрику. Опис етапу На першому етапі НДР були проведені дослідження впливу ВЧ плазмової обробки у газовій азотно-водневої суміші та аргоні на електричні і фізико-хімічні властивості надтонких плівок і мікронних шматочків бісульфіту молібдену (MoS2). Показано, що використані плазмові обробки призводять до збільшення напруження у кристалічній гратці структури MoS2, а також значному зменшенню електричного опору тонких мікрокристалічних плівок і мікронних шматочків MoS2, що дуже важливо для формування каналів польових транзисторів, які звичайно мають значний опір. Проведено начальні дослідження польових транзисторів, виготовлених на структурах MoS2/SiO2/Si, з відкритою поверхнею одношарової двовимірної плівки MoS2, які були виготовлені в Мікроелектронному центрі прогресивних технологій м. Аахена (Німеччина). Визначені основні електричні характеристики отриманих приладів: порогова напруга, підпороговий нахил, максимальний і мінімальний струм в каналі, густину поверхневих і приповерхневих станів на межі поділу MoS2/SiO2. На основі отриманих даних розроблені рекомендації з покращення характеристик транзисторів з двовимірними каналами на базі MoS2. Опис продукції Автори роботи Тягульський Ігор Петрович Гоменюк Юрій Вікторович Руденко Тамара Охримівна Кисіль Дмитро Вадимович Назаров Олексій Миколайович Слободян Олександр Михайлович Додано в НРАТ 2025-12-22 Закрити
НДДКР ОК
Керівник: Назаров Олексій Миколайович. Розвиток і характеризація МДН польових транзисторів на базі двовимірних MoS2 шарів. (Етап: Дослідження впливу ВЧ плазми на фізичні властивості тонких шарів MoS2 та вивчення електричних параметрів вихідних структур MoS2/діелектрик). Інститут фізики напівпровідників імені В. Є. Лашкарьова Національної академії наук України. № 0225U004923
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2026-03-21