Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0226U001589, (0121U108191) , Науково-дослідна робота Назва роботи Дослідження функціональних властивостей напівпровідникових та епоксикомпозитних матеріалів Назва етапу роботи Дослідження функціональних властивостей напівпровідникових та епоксикомпозитних матеріалів Керівник роботи Луньов Сергій Валентинович, к.ф.-м.н. Дата реєстрації 28-01-2026 Організація виконавець Луцький національний технічний університет Опис роботи Метою даної роботи є дослідження функціональних властивостей матеріалів електронної техніки та можливі шляхи модифікації цих властивостей з використанням методу радіаційних технологій. Для досягнення поставленої мети необхідно дослідити електричні, тензоелектричні, гальваномагнітні, оптичні властивості об’ємних монокристалів германію, кремнію, антимоніду кадмію, кисневмісних сполук цинку, наноструктур на основі даних напівпровідникових матеріалів, а також екрануючих властивостей епоксикомпозитних матеріалів від впливу радіаційного опромінення, що є важливим для підвищення радіаційної стійкості напівпровідників методом локального захисту. Опис етапу В науковій роботі проведені комплексні дослідження фізичних та експлуатаційних властивостей напівпровідників (Ge, Si, CdSb, кисневмісні сполуки Zn) та полімеркомпозитних матеріалів на основі епоксидної смоли. Зокрема, досліджувались механізми електронного переносу, процеси відпалу, оптичне поглинання в напівпровідникових структурах, а також закономірності формування структури та екрануючих властивостей полімеркомпозитів з метою розробки нових функціональних матеріалів електронної техніки та методів їх модифікації за допомогою легування та радіаційних технологій. У роботі використані такі експериментальні методики як вимірювання електропровідності, ефекту Холла, тензоопору та тензо-холл-ефекту при одновісній пружній деформації, ІЧ-Фур’є спектроскопії, методи визначення міцності на стискання та твердості для епоксикомпозитів. Опромінення зразків проводилося на мікротроні М–30. Теоретичні розрахунки зонної структури та параметрів квантових ям виконані з використанням системи MathCAD 14 на основі теорії деформаційного потенціалу. На основі проведених досліджень були встановлені закономірності зміни електричних, гальваномагнітних та оптичних властивостей монокристалів та наноструктур Ge, Si, CdSb під впливом радіаційного опромінення та деформації. Визначено параметри екрануючих властивостей епоксикомпозитів, що дозволяють забезпечити локальний захист напівпровідникових елементів. Доведено ефективність використання радіаційних технологій для цілеспрямованої зміни характеристик матеріалів. Отримані результати можуть бути впроваджені при проектуванні радіаційно-стійких датчиків температури, сенсорів Холла, фоточутливих елементів ІЧ-техніки, а також при розробці захисних епоксидних покриттів для роботи приладів в умовах підвищеного радіаційного фону. Опис продукції Автори роботи Луньов Сергій Валентинович Коваль Юрій Васильович Пастернак Роман Михайлович Захарчук Дмитро Андрійович Ящинський Леонід Васильович Панасюк Леонід Іванович Додано в НРАТ 2026-01-28 Закрити