Реєстраційний номер
0314U004020,
0113U007068
, Науково-дослідна робота
Назва роботи
Розроблення технологій виробництва гетероепітаксійних квантоворозмірних світлодіодних структур на основі InGaN/GaN/Al2O3 методом газофазної епітаксії з металоорганічних сполук з енергетичною ефективністю більш як 80 Лм/Вт
Назва етапу роботи
Розроблення технологій виробництва гетероепітаксійних квантоворозмірних світлодіодних структур на основі InGaN/GaN/Al2O3 методом газофазної епітаксії з металоорганічних сполук з енергетичною ефективністю більш як 80 Лм/Вт
Керівник роботи
Круковський Семен Іванович,
Дата реєстрації
23-01-2014
Організація виконавець
Публічне акціонерне товариство "Науково-виробничий концерн "Наука"
Опис етапу
Оптимізований в цілому технологічний процес формування світлодіодних структур AlGaN/InGaN/GaN/Al2O3 методом газофазної епітаксії із металоорганічних сполук, з якісними гетерограницями Inх2Ga1-х2N/p-AlхGa1-хN, p-AlхGa1-хN/p-GaN та морфологією поверхні контактного шару, що в сукупності забезпечило досягнення їх енергетичної ефективності більшої від 80 Лм/Вт. Розроблені оптимальні технологічні режими формування двошарового контактного епітаксійного шару GaN р-типу провідності легованого магнієм, що забезпечило можливість кристалізації шарів з концентрацією дірок до 2х10^19 см^-3 якісною морфологією поверхні.
Опис продукції
Оптимізовано технологічні режими кристалізації епітаксійних шарів p-GaN легованих магнієм які в сукупності забезпечували формування світлодіодної структури AlGaN/InGaN/GaN/Al2O3 з якісними гетерограницями р-GaN/InGaN та досконалою морфологією поверхні з енергетичною ефективністю 65-70 Лм/Вт.
Автори роботи
Круковський Р.С.
Круковський С.І.
Михащук Ю.М.
Мрихін І.О.
Парфенюк П.В.
Додано/оновлено в НРАТ
2020-04-02
