Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0314U004020, 0113U007068 , Науково-дослідна робота Назва роботи Розроблення технологій виробництва гетероепітаксійних квантоворозмірних світлодіодних структур на основі InGaN/GaN/Al2O3 методом газофазної епітаксії з металоорганічних сполук з енергетичною ефективністю більш як 80 Лм/Вт Назва етапу роботи Розроблення технологій виробництва гетероепітаксійних квантоворозмірних світлодіодних структур на основі InGaN/GaN/Al2O3 методом газофазної епітаксії з металоорганічних сполук з енергетичною ефективністю більш як 80 Лм/Вт Керівник роботи Круковський Семен Іванович, Дата реєстрації 23-01-2014 Організація виконавець Публічне акціонерне товариство "Науково-виробничий концерн "Наука" Опис етапу Оптимізований в цілому технологічний процес формування світлодіодних структур AlGaN/InGaN/GaN/Al2O3 методом газофазної епітаксії із металоорганічних сполук, з якісними гетерограницями Inх2Ga1-х2N/p-AlхGa1-хN, p-AlхGa1-хN/p-GaN та морфологією поверхні контактного шару, що в сукупності забезпечило досягнення їх енергетичної ефективності більшої від 80 Лм/Вт. Розроблені оптимальні технологічні режими формування двошарового контактного епітаксійного шару GaN р-типу провідності легованого магнієм, що забезпечило можливість кристалізації шарів з концентрацією дірок до 2х10^19 см^-3 якісною морфологією поверхні. Опис продукції Оптимізовано технологічні режими кристалізації епітаксійних шарів p-GaN легованих магнієм які в сукупності забезпечували формування світлодіодної структури AlGaN/InGaN/GaN/Al2O3 з якісними гетерограницями р-GaN/InGaN та досконалою морфологією поверхні з енергетичною ефективністю 65-70 Лм/Вт. Автори роботи Круковський Р.С. Круковський С.І. Михащук Ю.М. Мрихін І.О. Парфенюк П.В. Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити