Search academic texts

Information × Registration Number 0402U002364, Candidate dissertation Status к.ф.-м.н. Date 19-06-2002 popup.evolution o Title Compositional peculiarities of radiation-induced phenomena in chalcogenide vitreous semiconductors of Ge-Sb-S ternary system Author Kavetskyy Taras Stepanovych, popup.head Lutsiv R.V. popup.opponent Блецкан Д.І. popup.opponent Половинко І.І. Description Радіаційно-індуковані явища в халькогенідних склоподібних напівпровідниках (ХСН). Дослідити композиційні особливості радіаційно-індукованих явищ в ХСН потрійної системи Ge-Sb-S та відшукати адекватні аналітичні співвідношення для їх інтерпретації. Методами дослідження є методи оптичної спектрофотометрії та метод вимірювання мікротвердості по Віккерсу. Встановлено ефект радіаційно-індукованого потемніння, який містить динамічну та статичну складові, є максимальним в ХСН, збагачених Ge, і повністю відсутнім в ХСН, збагачених Sb. Концепція вільного об'єму є найбільш адекватною для інтерпретації спостережуваних явищ. Сферою використання є ІЧ техніка, оптоелектроніка. Registration Date 2002-06-19 popup.nrat_date 2020-04-04 Close