Реєстраційний номер
0402U002364, Кандидатська дисертація
На здобуття
к.ф.-м.н.
Дата захисту
19-06-2002
Статус
Захищена
Назва роботи
Композиційні особливості радіаційно-індукованих явищ в халькогенідних склоподібних напівпровідниках потрійної системи Ge-Sb-S
Здобувач
Кавецький Тарас Степанович,
Керівник Луців Р.В.
Опонент Блецкан Д.І.
Опонент Половинко І.І.
Установа, організація, у вченій раді якої відбудеться/відбувся захист
Львівський національний університет імені Івана Франка
Опис
Радіаційно-індуковані явища в халькогенідних склоподібних напівпровідниках (ХСН). Дослідити композиційні особливості радіаційно-індукованих явищ в ХСН потрійної системи Ge-Sb-S та відшукати адекватні аналітичні співвідношення для їх інтерпретації. Методами дослідження є методи оптичної спектрофотометрії та метод вимірювання мікротвердості по Віккерсу. Встановлено ефект радіаційно-індукованого потемніння, який містить динамічну та статичну складові, є максимальним в ХСН, збагачених Ge, і повністю відсутнім в ХСН, збагачених Sb. Концепція вільного об'єму є найбільш адекватною для інтерпретації спостережуваних явищ. Сферою використання є ІЧ техніка, оптоелектроніка.
Дата реєстрації
2002-07-11
Додано/оновлено в НРАТ
2020-04-04 / 2026-06-30
