Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0411U001740, Кандидатська дисертація На здобуття к.ф.-м.н. Дата захисту 25-02-2011 Статус Запланована Назва роботи Локалізовані стани носіїв заряду з глибокими рівнями та великомасштабні електричні неоднорідності в кристалах Сd1-xZnxТе і ZnSe Здобувач Абашин Сергій Леонідович, Керівник Чугай Олег Миколайович Опонент Парфенюк Орест Архипович Опонент Меріуц Андрій Володимирович Опонент Слинько Євген Іларіонович Опис Робота присвячена дослідженню локалізованих станів носіїв заряду з глибокими рівнями та великомасштабних електричних неоднорідностей у кристалах CdZnTe і ZnSe. Показано, що методом скануючої фотодіелектричної спектроскопії виявляються негативно заряджені й електронейтральні локалізовані стани носіїв. Встановлено, що тривалий відпал при помірно високій температурі та вплив іонізуючих випромінювань призводять до еволюції внутрішніх пружних та електричних полів. Установлено, що визначальну роль у формуванні великомасштабних електричних неоднорідностей у кристалах CdZnTe відіграють дефекти ростової природи. Дата реєстрації 2011-02-25 Додано в НРАТ 2020-04-04 Закрити