Кандидатська дисертація. Абашин Сергій Леонідович. Локалізовані стани носіїв заряду з глибокими рівнями та великомасштабні електричні неоднорідності в кристалах Сd1-xZnxТе і ZnSe

Реєстраційний номер

0411U001740, Кандидатська дисертація

На здобуття

к.ф.-м.н.

Дата захисту

25-02-2011

Статус

Захищена

Назва роботи

Локалізовані стани носіїв заряду з глибокими рівнями та великомасштабні електричні неоднорідності в кристалах Сd1-xZnxТе і ZnSe

Здобувач

Абашин Сергій Леонідович,

Керівник Чугай Олег Миколайович
Опонент Парфенюк Орест Архипович
Опонент Меріуц Андрій Володимирович
Опонент Слинько Євген Іларіонович

Установа, організація, у вченій раді якої відбудеться/відбувся захист

Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича

Опис

Робота присвячена дослідженню локалізованих станів носіїв заряду з глибокими рівнями та великомасштабних електричних неоднорідностей у кристалах CdZnTe і ZnSe. Показано, що методом скануючої фотодіелектричної спектроскопії виявляються негативно заряджені й електронейтральні локалізовані стани носіїв. Встановлено, що тривалий відпал при помірно високій температурі та вплив іонізуючих випромінювань призводять до еволюції внутрішніх пружних та електричних полів. Установлено, що визначальну роль у формуванні великомасштабних електричних неоднорідностей у кристалах CdZnTe відіграють дефекти ростової природи.

Дата реєстрації

2011-03-24

Додано/оновлено в НРАТ

2020-04-04 / 2026-06-30