Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0412U000146, Кандидатська дисертація На здобуття к.ф.-м.н. Дата захисту 18-01-2012 Статус Запланована Назва роботи Рентгеноструктурна характеризація багатошарових систем Al(In)GaN на полярних площинах сапфіру. Здобувач Сафрюк Надія Володимирівна, Керівник Кладько Василь Петрович Опонент Махній Віктор Петрович Опонент Порошин Володимир Миколайович Опис Дисертація присвячена дослідженню процесів релаксації, з застосуванням комплексного експериментального та теоретичного підходів, у багатошарових системах Al(In)GaN, вирощених на полярних площинах сапфіру. Для систем AlxGa1-xN/GaN/Al2O3(0001) встановлено новий механізм релаксації пружних деформацій, який полягає в різних кутових розворотах одиничних гексагональних комірок нітриду галію навколо с-осі сапфіру при варіації його товщини. Встановлено вплив типу "темплейта" на структурні властивості НГ GaN/AlN. Показано, що НГ, вирощені на AlN/Al2O3-темплейті релаксують в основному за рахунок формування дислокацій невідповідності, в той час як НГ, вирощені на GaN/Al2O3-темплейті релаксують за рахунок утворення тріщин. Вперше це пояснюється різним впливом остаточних деформацій в системі GaN-буфер /темплейт на рівень деформації в шарах НГ при їх осадженні. Виявлено, що товщина квантових бар'єрів (AlN) та квантових ям (GaN) в НГ є відмінною від технологічно заданої. І цей ефект сильніше проявляеться при рості НГ на напруженому AlN/Al2O3-темплейті. Виявлено вплив кількості квантових ям в НГ InxGa1-xN/GaN на співвідношення товщин яма/бар'єр і вміст індію в квантових ямах. Вперше показано, що ступінь релаксації деформацій зростає із збільшенням числа періодів в НГ, що приводить до росту концентрації індію в квантових ямах і супроводжується змінами товщин яма/бар'єр. Дата реєстрації 2012-01-18 Додано в НРАТ 2020-04-04 Закрити