Search academic texts

Information × Registration Number 0412U000146, Candidate dissertation Status к.ф.-м.н. Date 18-01-2012 popup.evolution o Title Х-Ray characterization of multilayered systems Al(In)GaN on polar planes of sapphire. Author Safriuk Nadiia Volodymyrivna, popup.head Kladko Vasyl Petrovych popup.opponent Махній Віктор Петрович popup.opponent Порошин Володимир Миколайович Description Дисертація присвячена дослідженню процесів релаксації, з застосуванням комплексного експериментального та теоретичного підходів, у багатошарових системах Al(In)GaN, вирощених на полярних площинах сапфіру. Для систем AlxGa1-xN/GaN/Al2O3(0001) встановлено новий механізм релаксації пружних деформацій, який полягає в різних кутових розворотах одиничних гексагональних комірок нітриду галію навколо с-осі сапфіру при варіації його товщини. Встановлено вплив типу "темплейта" на структурні властивості НГ GaN/AlN. Показано, що НГ, вирощені на AlN/Al2O3-темплейті релаксують в основному за рахунок формування дислокацій невідповідності, в той час як НГ, вирощені на GaN/Al2O3-темплейті релаксують за рахунок утворення тріщин. Вперше це пояснюється різним впливом остаточних деформацій в системі GaN-буфер /темплейт на рівень деформації в шарах НГ при їх осадженні. Виявлено, що товщина квантових бар'єрів (AlN) та квантових ям (GaN) в НГ є відмінною від технологічно заданої. І цей ефект сильніше проявляеться при рості НГ на напруженому AlN/Al2O3-темплейті. Виявлено вплив кількості квантових ям в НГ InxGa1-xN/GaN на співвідношення товщин яма/бар'єр і вміст індію в квантових ямах. Вперше показано, що ступінь релаксації деформацій зростає із збільшенням числа періодів в НГ, що приводить до росту концентрації індію в квантових ямах і супроводжується змінами товщин яма/бар'єр. Registration Date 2012-01-18 popup.nrat_date 2020-04-04 Close