Реєстраційний номер
0493U003366, Кандидатська дисертація
На здобуття
к.ф.-м.н.
Дата захисту
25-09-1993
Статус
Захищена
Назва роботи
Конфигурация точечных дефектов в кремнии при критических концентрациях
Здобувач
Балабай Руслана Михайловна,
Керівник Кив А.Ю.
Опонент Даховский И.В.
Опонент Тимофеенко В.В.
Установа, організація, у вченій раді якої відбудеться/відбувся захист
Юридический институт Одесского госуниверситета им.И.Мечникова
Опис
Объект исследования: Кристалл кремния с высокой концентрацией примесей: фосфор, бор, водород и вакансионных коплек. Цель исследования: Теоретическое исследование микроскопических механизмов создания и эволюции примесно-дефектных комплексов в условиях китического насыщения кремния дефектами. Методы исследования и аппаратура: Методы функционала электронной плотности и псевдопотенциала с первых принципов. Электронно-вычислительные машины. Теоретические результаты и новизна: В рамках разработанной модели, которая описывает кристалл кремния с концентрацией дефектов, вычислены потенциальные рельефы для смещения сосбтвенных и примесных атомов. Практические результаты и новизна: Получены результаты помогут предвидеть своства сильно легированного кремния, оптимизировать процессы высокодозной ионной имплантации. Сфера (область) использования: Полупроводниковая электронная техника и технология.
Дата реєстрації
1999-11-16
Додано/оновлено в НРАТ
2020-05-18 / 2026-06-30
