Реєстраційний номер
0511U000655, Докторська дисертація
На здобуття
д.ф.-м.н.
Дата захисту
05-07-2011
Статус
Захищена
Назва роботи
Локалізовані і делокалізовані стани та ефекти міжчастинкових взаємодій в низькосиметричних напівпровідникових кристалах
Здобувач
Хархаліс Любов Юріївна,
Керівник Берча Дарія Михайлівна
Опонент Сиркін Євген Соломонович
Опонент Лукіянець Богдан Антонович
Опонент Маслюк Володимир Трохимович
Установа, організація, у вченій раді якої відбудеться/відбувся захист
Державний вищий навчальний заклад "Ужгородський національний унiверситет"
Опис
У дисертації представлені результати комплексного дослідження фундаментальних характеристик низькосиметричних кристалів з використанням сучасних методів розрахунку зонної структури та теоретико-групових методів. У кристалі In4Se3 для носіїв заряду виявлено нестандартний закон дисперсії з низькоенергетичною непараболічністю. Досліджено її наслідки для фізичних параметрів та нових ефектів (пікоподібної густини станів, яка приводить до сильної електрон-фононної взаємодії і утворенню зарядової неоднорідності - конденсонів, аномального краю поглинання в In4Se3, аномальної анізотропії ефективних мас в InSe, реалізації плазмово-електричного ефекту в In4Se3). Вивчено вплив домішок впровадження та зсувних деформацій на енергетичні стани в шаруватих кристалах. Проведені фундаментальні дослідження зі створення нових функціональних матеріалів з керованими фізичними параметрами (твердих розчинів типу Cd0.5Zn0.5Sb та кристалу Hg3TeCl4)
Дата реєстрації
2011-07-26
Додано/оновлено в НРАТ
2020-04-04 / 2026-06-30
