Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0511U000655, Докторська дисертація На здобуття д.ф.-м.н. Дата захисту 05-07-2011 Статус Захищена Назва роботи Локалізовані і делокалізовані стани та ефекти міжчастинкових взаємодій в низькосиметричних напівпровідникових кристалах Здобувач Хархаліс Любов Юріївна, Керівник Берча Дарія Михайлівна Опонент Сиркін Євген Соломонович Опонент Лукіянець Богдан Антонович Опонент Маслюк Володимир Трохимович Опис У дисертації представлені результати комплексного дослідження фундаментальних характеристик низькосиметричних кристалів з використанням сучасних методів розрахунку зонної структури та теоретико-групових методів. У кристалі In4Se3 для носіїв заряду виявлено нестандартний закон дисперсії з низькоенергетичною непараболічністю. Досліджено її наслідки для фізичних параметрів та нових ефектів (пікоподібної густини станів, яка приводить до сильної електрон-фононної взаємодії і утворенню зарядової неоднорідності - конденсонів, аномального краю поглинання в In4Se3, аномальної анізотропії ефективних мас в InSe, реалізації плазмово-електричного ефекту в In4Se3). Вивчено вплив домішок впровадження та зсувних деформацій на енергетичні стани в шаруватих кристалах. Проведені фундаментальні дослідження зі створення нових функціональних матеріалів з керованими фізичними параметрами (твердих розчинів типу Cd0.5Zn0.5Sb та кристалу Hg3TeCl4) Дата реєстрації 2011-07-26 Додано в НРАТ 2020-04-04 Закрити

Інформація × Реєстраційний номер 0511U000655, Докторська дисертація На здобуття д.ф.-м.н. Дата захисту 05-07-2011 Статус Захищена Назва роботи Локалізовані і делокалізовані стани та ефекти міжчастинкових взаємодій в низькосиметричних напівпровідникових кристалах Здобувач Хархаліс Любов Юріївна, Керівник Берча Дарія Михайлівна Опонент Сиркін Євген Соломонович Опонент Лукіянець Богдан Антонович Опонент Маслюк Володимир Трохимович Опис У дисертації представлені результати комплексного дослідження фундаментальних характеристик низькосиметричних кристалів з використанням сучасних методів розрахунку зонної структури та теоретико-групових методів. У кристалі In4Se3 для носіїв заряду виявлено нестандартний закон дисперсії з низькоенергетичною непараболічністю. Досліджено її наслідки для фізичних параметрів та нових ефектів (пікоподібної густини станів, яка приводить до сильної електрон-фононної взаємодії і утворенню зарядової неоднорідності - конденсонів, аномального краю поглинання в In4Se3, аномальної анізотропії ефективних мас в InSe, реалізації плазмово-електричного ефекту в In4Se3). Вивчено вплив домішок впровадження та зсувних деформацій на енергетичні стани в шаруватих кристалах. Проведені фундаментальні дослідження зі створення нових функціональних матеріалів з керованими фізичними параметрами (твердих розчинів типу Cd0.5Zn0.5Sb та кристалу Hg3TeCl4) Дата реєстрації 2011-07-26 Додано в НРАТ 2020-04-04 Закрити