Реєстраційний номер
0593U000027, Докторська дисертація
На здобуття
д.ф.-м.н.
Дата захисту
25-12-1992
Статус
Захищена
Назва роботи
Процессы ионно-стимулированного массопереноса и гетерирования в полупроводниковых планарных структурах
Здобувач
Романюк Борис Николаевич,
Опонент Птушинский Ю.Г.
Опонент Баранский П.И.
Опонент Мордкович В.Н.
Установа, організація, у вченій раді якої відбудеться/відбувся захист
Научно-производственный центр "Пролог"
Опис
Объект исследования: Полупроводниковые кристаллы кремния и слоистые структуры диэлектрик-полупроводник. Цель исследования: Разработка научных основ ионно-стимулированного формирования слоистых структур и изучение процессов переноса и взаимодействия точечных дефектов с атомами примесей в кремнии. Методы исследования и аппаратура: Просвечивающая и растровая электронная микроскопия, рентгеновская спектроскопия, комбинационное рассеивание и электроотражение света, резерфордовское рассеивание альфа-частиц; электронные микроскопы, установки для имплантации, оптические приборы, Оже-спектрометр. Теоретические результаты и новизна: Установление механизмов ионно-стимулированного упорядочивания; кристаллические решетки; изучение механизмоа стимулированного гетерирования; выявление эффектов лазерно-стимулированной диффузии кислорода и каталитической роли угля. Практические результаты и новизна: Разработана и внедрена в производство технология гетерирования при эпитаксионном росте пленок. Предложены методы создания скрытых диэлектрических слоев и p-n переходов при низких температурах. Получено 10 авторских свидетельств на изобретение. Предмет и степень внедрения: Технология гетерирования примесей в эпитаксиальных пленках внедрена на ВО "Гама" г.Запорожье. Эффективность внедрения: Экономический эффект от внедрения результатов 3 млн.крб. Сфера (область) использования: Микроэлектроника, технология полупроводниковых материалов.
Дата реєстрації
2000-02-28
Додано/оновлено в НРАТ
2021-03-18 / 2026-06-30
