Реєстраційний номер
2122U008583, Матеріали видань та локальних репозитаріїв
Категорія
Тези
Назва роботи
Physical Parameters of the Synthesized Semiconductor Material Based on a Heterometallic Complex Compound of Copper (II) with N, N'- Bis(Salicylidene)Semicarbazide
Автор
Osadchuk O.
Martyniuk V.
Semenova O.
Semenov A.
Martyniuk H.
Sydoruk T.
Осадчук О. В.
Мартинюк В. В.
Семенова О. О.
Семенов А. О.
Сидорук Т. І.
Мартинюк Г. І.
Дата публікації
29-04-2022
Постачальник інформації
Вінницький національний технічний університет
Першоджерело
http://ir.lib.vntu.edu.ua/handle/123456789/35217
Видання
Lviv Polytechnic National University
Опис
A new stuff, heterometallic barium di[N,N'-bis(salicylidene)thiosemicarbazidatocuprate (II)] monohydrate(I) with such composition Ba[CuL']·Н2О, where H3L = N, N'-bis(salicylidene)thiosemicarbazide, has been synthesized. Investigations of electrical conductive properties for the compound I as compressed cylindrical specimen showed that its specific resistance was 6·1012 Ohm·cm at 313 K temperature, and there was a rectilinear relationship between the specific resistance and the temperature at the temperature rising from 313 K to 413 K, which was typical for semiconductor materials. Calculated at 333 K values of a temperature coefficient of resistance (TCR) for compound I (-11.39% K-1) and sensitivity (B) of the semiconductor stuff (12630 K) confirm that this compound is a semiconductor of medium sensitivity in the 313~413 K operating temperature range.
Додано/оновлено в НРАТ
2026-10-22
