Як користуватися пошуком
Знайдено документів: 9
НДДКР ОК
Модифікація структурної досконалості та упорядкування комплексу власних точкових дефектів в кристалах сполук A2B6 шляхом удосконалення методик їх вирощування і термообробки.
1
Керівник: Бояринцев Андрій Юрійович. Модифікація структурної досконалості та упорядкування комплексу власних точкових дефектів в кристалах сполук A2B6 шляхом удосконалення методик їх вирощування і термообробки.. (Етап: Модифікація структурної досконалості та упорядкування комплексу власних точкових дефектів в кристалах сполук A2B6 шляхом удосконалення методик їх вирощування і термообробки.). Інститут сцинтиляційних матеріалів Національної академії наук України. № 0225U002519
НДДКР ОК
Розробка технології неруйнівної переробки залишків сцинтиляційних монокристалів на основі NaI у йодид натрію високої чистоти.
3
Керівник: Гриньов Борис Вікторович. Розробка технології неруйнівної переробки залишків сцинтиляційних монокристалів на основі NaI у йодид натрію високої чистоти.. (Етап: ). Інститут сцинтиляційних матеріалів Національної академії наук України. № 0221U106506
НДДКР ОК
Розроблення технології одержання йоду високої чистоти з сировини різного походження
1
Керівник: Чергинець Віктор Леонідович. Розроблення технології одержання йоду високої чистоти з сировини різного походження. (Етап: ). Інститут сцинтиляційних матеріалів НАН України. № 0220U100258
Дисертація кандидатська
Закономірності формування дислокаційної структури та фізико-механічні властивості структурно-досконалих монокристалів алмазу, вирощених при високих тисках і температурах
1
Супрун Олена Михайлівна. Закономірності формування дислокаційної структури та фізико-механічні властивості структурно-досконалих монокристалів алмазу, вирощених при високих тисках і температурах : к.т.н. : спец.. 05.02.01 - Матеріалознавство : дата захисту 2019-02-28; Статус: Захищена; Інститут надтвердих матерiалiв iм. В.М. Бакуля НАН України. – , 0419U001140.
НДДКР ОК
Розробка технології вирощування сцинтиляційних лужногалоїдних монокристалів гарнісажним методом з застосуванням монокристалічної підкладки.
Керівник: Таранюк Володимир Іванович. Розробка технології вирощування сцинтиляційних лужногалоїдних монокристалів гарнісажним методом з застосуванням монокристалічної підкладки.. (Етап: ). Інститут сцинтиляційних матеріалів Національної академії наук України. № 0217U004103
НДДКР РК
Розробка технології вирощування сцинтиляційних лужногалоїдних монокристалів гарнісажним методом з застосуванням монокристалічної підкладки
Керівник: Таранюк Володимир Іванович. Розробка технології вирощування сцинтиляційних лужногалоїдних монокристалів гарнісажним методом з застосуванням монокристалічної підкладки. Інститут сцинтиляційних матеріалів НАН України. № 0116U006081
Дисертація кандидатська
Отримання кристалів галогенідів гарнісажним методом
6
Таранюк Володимир Іванович. Отримання кристалів галогенідів гарнісажним методом : к.т.н. : спец.. 05.02.01 - Матеріалознавство : дата захисту 2015-12-09; Статус: Захищена; Інститут монокристалів НАН України. – , 0415U006910.
НДДКР ОК
Вирощування гарнісажним методом кристалів чистого і активованого кубічного PbF2 для майбутнього калориметра HHCAL
Керівник: Таранюк Володимир Іванович. Вирощування гарнісажним методом кристалів чистого і активованого кубічного PbF2 для майбутнього калориметра HHCAL. (Етап: ). Інститут сцинтиляційних матеріалів Національної академії наук України. № 0212U000292
НДДКР РК
Вирощування гарнісажним методом кристалів чистого і активованого кубічного PbF2 для майбутнього калориметра HHCAL
Керівник: Таранюк Володимир Іванович. Вирощування гарнісажним методом кристалів чистого і активованого кубічного PbF2 для майбутнього калориметра HHCAL. Інститут сцинтиляційних матеріалів НАН України. № 0111U001889
Знайдено документів: 9

Оновлено: 2026-10-26


Роздрукувати цю сторінку