Реєстраційний номер
0121U108465,
Науково-дослідна робота
Назва роботи
Колективні збудження і транспортні явища в напівпровідникових кристалах та нанорозмірних структурах з керованим розподілом деформаційних потенціалів при акусто- та іонно-стимульованних перетвореннях (шифр: ІІІ-02-21)
Керівник роботи
Валах Михайло Якович, Доктор фізико-математичних наук
Кладько Василь Петрович, Доктор фізико-математичних наук
Дата реєстрації
15-02-2021
Організація виконавець
Інститут фізики напівпровідників імені В. Є. Лашкарьова Національної академії наук України
Опис роботи
Комплексне дослідження ефектів, які виникають при іонно-променевій та акустичній модифікації структури і електронної підсистеми оксидів металів, зокрема: галію, цинку, ванадію, нікелю та розробка методів керування ними як одного з реальних шляхів створення контрольованих нанотехнологій, що забезпечать нові функціональні можливості приладових систем. Модифікування епітаксійних плівок таких оксидів вирощених на різних підкладках (Si, Al2O3 і SiC) та структур InGaAs/GaAs, GaAlN/GaN, Ge/Si дозволить керовано змінювати рухливості носіїв заряду і дасть можливість їхнього використання для приладно-орієнтованих структур.
Додано/оновлено в НРАТ
2024-12-10