Реєстраційний номер
0126U003507,
Науково-дослідна робота
Назва роботи
Закономірності HPHT-кристалізації та фізичні механізми формування електронних властивостей монокристалів алмазу, легованих бором і азотом з граничними концентраціями
Керівник роботи
Стрельчук Віктор Васильович, Доктор фізико-математичних наук
Дата реєстрації
15-04-2026
Організація виконавець
Інститут фізики напівпровідників імені В. Є. Лашкарьова Національної академії наук України
Опис роботи
Розробка новітньої концепції формування електрофізичних властивостей напівпровідникових алмазів, легованих бором та азотом, отриманих шляхом розчинрозплавної кристалізації в умовах високого тиску та температури. Дослідження дефектнодомішкового складу та його просторового розподілу на електрофізичні властивості пристроїв алмазної електроніки. Отримання та дослідження масивів одиночних висококогерентних NV-центрів в кристалах IIa(Ib) алмазу, перспективних для оптоелектронних застосувань.
Додано/оновлено в НРАТ
2026-04-15
